[发明专利]一种光刻胶去除装置

说明书

本发明提供一种光刻胶去除装置，涉及半导体设备技术领域，用于去除待加工芯片上的光刻胶，包括：第一喷嘴、第二喷嘴和基座，待加工芯片设置于基座；第一喷嘴和第二喷嘴分别位于待加工芯片相对的两侧，第一喷嘴朝向待加工芯片的上表面喷洒清洁液；第二喷嘴朝向待加工芯片的下表面喷洒加热后的氮气以加热待加工芯片至预设反应温度。实现将氮气的温度传递至待加工芯片，使得待加工芯片的表面温度升高，通过控制氮气的温度，即可实现对待加工芯片表面的温度，即预设反应温度进行精确控制，使得清洁液在与光刻胶反应时能够始终保持在高效温度区间，进而在提高反应速率的同时，也进一步的提高清洗的效率以及效果。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，具体而言，涉及一种光刻胶去除装置。

背景技术

随着科技的进步，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域应用越来越广泛。在半导体芯片的制备过程中，采用设备对晶圆进行加工，在定义刻蚀图形时需要涂覆一层光刻胶，在等离子处理工艺完成后芯片表面还覆盖有一层光刻胶层。因此在完成等离子体刻蚀操作之后，需要将芯片转移至光刻胶去除装置内，用以剥离芯片表面的光刻胶。

现有剥离光刻胶的方法主要是将清洁剂加热到剥离的温度，然后喷洒至芯片表面，从而对光刻胶进行剥离。但也因此，使得清洁剂作用于光刻胶时的温度难以准确控制，导致光刻胶难以清洗干净。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种光刻胶去除装置，以解决现有光刻胶因温度控制不精准难以清洗干净的问题。

为实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

本发明实施例的一方面，提供一种光刻胶去除装置，用于去除待加工芯片上的光刻胶，包括：第一喷嘴、第二喷嘴和基座，待加工芯片设置于基座；第一喷嘴和第二喷嘴分别位于待加工芯片相对的两侧，第一喷嘴朝向待加工芯片的上表面喷洒清洁液；第二喷嘴朝向待加工芯片的下表面喷洒加热后的氮气以加热待加工芯片至预设反应温度。

可选的，第二喷嘴的喷射方向对应于待加工芯片的中心。

可选的，光刻胶去除装置包括多个第二喷嘴；多个第二喷嘴的喷射方向相对待加工芯片的另一侧面呈直线排列。

可选的，光刻胶去除装置包括多个第二喷嘴；多个第二喷嘴的喷射方向相对待加工芯片的另一侧面均布排列。

可选的，基座包括座体和旋转驱动器；待加工芯片设置于座体，旋转驱动器与座体传动连接，用于驱动座体旋转以带动待加工芯片同步旋转。

可选的，清洁液为硫酸和双氧水的反应液；光刻胶去除装置还包括用于存储硫酸的硫酸存储器、硫酸加热器以及双氧水存储器；硫酸加热器用于将硫酸存储器内的硫酸加热至第一预设温度，硫酸存储器和第一喷嘴管路连接，双氧水存储器和第一喷嘴管路连接。

可选的，光刻胶去除装置还包括氮气存储器和氮气加热器；氮气存储器与第二喷嘴管路连接，氮气加热器用于将氮气加热至第二预设温度。

可选的，光刻胶去除装置还包括传感器和控制器；传感器与控制器电连接，传感器与基座对应设置，用于检测基座上是否安设有待加工芯片并向控制器输出对应的检测信号；控制器与氮气加热器电连接，用于根据检测信号控制氮气加热器工作。

可选的，第二喷嘴的材质为聚四氟乙烯。

可选的，第二喷嘴的开口直径为1至3毫米。

本发明的有益效果包括：