[发明专利]一种小电流选线并联中电阻投切装置及方法在审
| 申请号: | 202010839872.2 | 申请日: | 2020-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN112103934A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
| 发明(设计)人: | 李华清;邓书举;李栋梁;黄艳斌;靳龙;黄显军;苗喜得;赵占伟;娄嫣芳;赵帅杰;张君义 | 申请(专利权)人: | 许继电气股份有限公司;国家电网有限公司;许继集团有限公司;许继变压器有限公司 |
| 主分类号: | H02H9/08 | 分类号: | H02H9/08;H02H1/00 |
| 代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 朱晓娟 |
| 地址: | 461000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电流 并联 电阻 装置 方法 | ||
1.一种小电流选线并联中电阻投切装置,其特征在于,包括:消弧线圈通路、中电阻通路、以及检测控制单元,其中,所述消弧线圈通路和所述中电阻通路并联;
所述消弧线圈通路包括消弧线圈(L1),所述消弧线圈(L1)连接在变压器与接地端之间;
所述中电阻通路包括中电阻(R)、IGBT开关管(S1)及其驱动回路、以及真空开关(K),所述真空开关(K)、中电阻(R)和IGBT开关管(S1)依次串联;
所述检测控制单元通过驱动回路控制IGBT开关管(S1)的阻抗变换,以使有功电流无级变化。
2.根据权利要求1所述的投切装置,其特征在于,所述中电阻(R)的阻值为R0,所述阻值R0在10kV系统中取值为500至600欧姆。
3.根据权利要求1所述的投切电路,其特征在于,所述检测控制单元通过驱动回路控制IGBT开关管(S1)的阻抗变换,包括所述检测控制单元通过驱动回路控制IGBT开关管(S1)的阻抗Ri从∞到0之间变换,使得有功电流从0-额定电流之间无级变化。
4.根据权利要求3所述的投切装置,其特征在于,所述检测控制单元通过驱动回路控制IGBT开关管(S1)的阻抗变换,还包括当高阻接地时,所述检测控制单元通过采样计算调节所述IGBT开关管(S1)的占空比,以稳定有功电流。
5.根据权利要求3所述的投切装置,其特征在于,所述检测控制单元通过驱动回路控制IGBT开关管(S1)的阻抗变换,还包括当金属接地时,所述检测控制单元调节所述IGBT开关管(S1)的占空比,以稳定有功电流。
6.一种小电流选线并联中电阻投切方法,应用于如权利要求1-5中任意一项所述的投切装置,其特征在于,包括步骤:
S1、实时巡检检测系统的母线电压和中性点电压;
S2、判断是否发生单相接地,若是,则进行下一步;若否,则返回步骤S1;
S3、判断该单相接地为高阻接地还是金属接地,若为金属接地,则进行下一步;若为高阻接地,则跳转至步骤S5;
S4、当所述单相接地为金属接地时,闭合开关(K),控制IGBT开关管(S1)的占空比,以调节所述IGBT开关管(S1)的阻抗Ri,从而稳定有功电流;
S5、当所述单相接地为高阻接地时,闭合开关(K),通过采样计算,控制IGBT开关管(S1)的占空比,以调节所述IGBT开关管(S1)的阻抗Ri,从而稳定有功电流。
7.根据权利要求6所述的投切方法,其特征在于,所述判断是否发生单相接地,包括当被检测电压的幅值和相位参数达到预定阈值时,判定为系统发生单相接地。
8.根据权利要求6所述的投切方法,其特征在于,所述金属接地的判定条件为UO≈Up,其中,UO为中性点电压,Up为相电压。
9.根据权利要求6所述的投切方法,其特征在于,所述高阻接地的判定条件为UO=(25%~90%)Up,其中,UO为中性点电压,Up为相电压。
10.根据权利要求6所述的投切方法,其特征在于,所述稳定有功电流为将有功电流值稳定在10A。
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