[发明专利]记忆体单元及其制造方法、记忆体阵列

权利要求书

1.一种记忆体单元的制造方法，其特征在于，包括：

形成一开关元件，其中所述开关元件包含一第一电极；

依序形成一第一金属层、一氧化物层与一第二金属层于所述开关元件上，其中所述第一金属层与所述第一电极电性连接；以及

蚀刻所述第一金属层、所述氧化物层与所述第二金属层，以形成一记忆体结构。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，更包括：

形成一保护层于所述记忆体结构与所述开关元件上；

形成一通孔于所述保护层；及

形成一导电层于所述保护层上，其中所述导电层通过所述通孔与所述第二金属层接触而电性连接。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氧化物层包含锗氮氧化物或硅锗氮氧化物，或其组合。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述记忆体结构为一电阻式随机存取记忆体。

5.一种记忆体单元，其特征在于，包括：

一开关元件，包含一第一电极；以及

一记忆体结构，具有一第一金属层、一氧化物层与一第二金属层依序设置于所述开关元件上；

其中，所述开关元件通过所述第一电极与所述记忆体结构的所述第一金属层电性连接。

6.如权利要求5所述的记忆体单元，其特征在于，更包括：

一保护层，设置于所述记忆体结构与所述开关元件上，所述保护层具有一通孔；及

一导电层，设置于所述保护层上，并通过所述通孔与所述第二金属层接触而电性连接。

7.如权利要求5所述的记忆体单元，其特征在于，所述氧化物层包含锗氮氧化物或硅锗氮氧化物，或其组合。

8.如权利要求5所述的记忆体单元，其特征在于，所述记忆体结构为一电阻式随机存取记忆体。

9.一种记忆体阵列，其特征在于，包括：

多个如权利要求5～6任一所述的记忆体单元，其中所述多个记忆体单元成阵列排列。

10.一种记忆体单元的制造方法，其特征在于，包括：

形成一开关元件，其中所述开关元件为一非晶硅薄膜晶体管，并包含一第一电极；

依序形成一第一金属层、一氧化物层与一第二金属层于所述开关元件上，其中所述第一金属层与所述第一电极电性连接，且所述氧化物层包含锗氮氧化物或硅锗氮氧化物，或其组合；

蚀刻所述第一金属层、所述氧化物层与所述第二金属层，以形成一记忆体结构，其中所述记忆体结构为一电阻式随机存取记忆体；

形成一保护层于所述记忆体结构与所述开关元件上；

形成一通孔于所述保护层；以及

形成一导电层于所述保护层上，其中所述导电层通过所述通孔与所述第二金属层接触而电性连接。