[发明专利]一种用于面板基材清洗后的真空干燥装置和方法

说明书

本发明涉及一种用于面板基材清洗后的真空干燥装置和方法，通过对面板基板进行特定温度下的预脱水，利用马拉高尼效应降低面板基材表面的张力，从而带走产品表面大部分的水分及清洗后残余的少许杂质，然后再通过真空干燥，利用水蒸气分子在待处理产品上扩散的过程来提升水分向外部周围迁移的动力，提升干燥速度，且真空环境下水的沸点也越低，更容易去除，进一步保证干燥效果。

技术领域

本发明涉及面板基材处理技术领域，进一步涉及掩膜板、玻璃基板、硅片、晶圆等处理技术领域，具体涉及一种用于面板基材清洗后的真空干燥装置和方法。

背景技术

面板领域中，玻璃基板、掩膜板或者半导体晶圆等面板基材通过药液清洗后，都需要通过DIW（去离子水）浸泡或通过喷洒进行漂洗，但漂洗后在产品表面就会存在过量的DIW，形成水渍的问题，因此需对其进行清洗。

根据现有常规的干燥方式，将待处理对象浸没于盛有干燥液体（异丙醇 IPA）中容器中。将处理产品从容器中向上取出时，通过干燥液体（IPA）和DIW的表面张力差，剥离产品表面的DIW，再经过空气刀吹扫或类似物使产品表面的溶剂在大气中蒸发，从而达到干燥的目的。但是，使用现有常规的干燥方式，存在干燥液体（IPA）使用量大、需要厂房防爆设计、运营成本高昂的问题。

在某些情况下，也有使用非易燃溶剂代替干燥液体的，例如氢氟醚（HFE），然而缺点也很明显，在于其价格高于醇类干燥溶剂，后期处理成本高昂，此外，HFE无法与水进行混溶，且易产生结晶，不适用于水基清洗的处理。

发明内容

本发明目的是要提供一种用于面板基材清洗后的真空干燥装置和方法，其取消了使用干燥溶剂，可降低使用终端运营成本，无爆燃风险，并且干燥效率更高，适用性也更强。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

本发明提供了一种用于面板基材清洗后的真空干燥方法，包括如下操作步骤：

步骤S1：将待处理产品移载浸没至55~95℃的纯水中，浸泡一定时间对待处理产品进行充分清洗并预热；

步骤S2：以一定速度缓慢脱离所述待处理产品与纯水，完全脱离纯水后的所述待处理产品移载至干燥室；

步骤S3：向所述干燥室内通入一定温度的热氮气，且控制通入时间；

步骤S4：通过加热装置对干燥室内进行加热，同时对干燥室进行抽真空至-100Kpa~-101.3Kpa然后保持120~240s；

步骤S5：热氮气经消除静止电荷后通入所述干燥室使其破真空，保持热氮气的通入至少150s；

步骤S6：将干燥完成的产品移载出干燥室。

对于上述技术方案，申请人还有进一步的优化措施。

可选地，步骤S1中对待处理产品进行预热的时间为300~540s。

可选地，步骤S2中对待处理产品与热水进行脱离的速率为1~10mm/s。

可选地，步骤S3中通入的热氮气的温度为55~60℃，通入时间为60~120s。

可选地，步骤S5中通入的热氮气的温度为55~60℃。