[发明专利]一种测试背面钝化太阳能电池高温衰减的方法在审
申请号: | 202010836277.3 | 申请日: | 2020-08-19 |
公开(公告)号: | CN112017984A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 黄海涛;陈丽萍;席曦;严婷婷 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214028 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测试 背面 钝化 太阳能电池 高温 衰减 方法 | ||
本发明属于太阳能电池技术领域,涉及到一种测试背面钝化太阳能电池高温衰减的方法。本发明的测试方法包括以下步骤:调节测试装置的光强与台面温度,并将电池片放置到测试平台进行衰减;待电池恢复常温后测试并记录电池效率P1,再次将电池片放置到测试平台上继续进行衰减,直至相邻两次的效率差值小于0.1%,将电池片取下,待电池恢复常温后测试并记录电池效率,待后一次测试的功率较前一次测试的效率有所上升,测试结束,倒数第二次测试的效率确定为电池片衰减后的最终效率。本发明将辐照度提升至2‑5SUN,台面温度提升至90‑110℃,可快速地测试背面钝化太阳能电池的高温衰减值,及时、准确地监控产线背面钝化太阳能电池的质量。
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,涉及到一种测试背面钝化太阳能电池高温衰减的方法。
背景技术
背钝化太阳能电池可以有效钝化电池的背面,减少背表面少子的复合,进而大幅度地提高电池的光电转换效率,其背面最外一层通常为氮化硅介质层,借此实现钝化与保护。而氮化硅介质层含有大量的氢元素,这部分氢元素在电池片的烧结过程中,一部分会向硅片表面扩散离开电池,还有一部分会扩散到硅片体内形成钝化缺陷,而这部分钝化缺陷的氢元素很容易由于高温和光照受到破坏,过多的氢可诱发形成复合中心,所以组件在后续使用过程中将会出现功率的衰减,高温时衰减尤其严重。所以测试背钝化太阳能电池的高温衰减值是判断背钝化太阳能电池质量的一个有效手段。
目前测试背钝化太阳能电池高温衰减的方法如下:
1)测试电池片的初始效率,记录为P0;
2)将电池片放置到一个辐照度为一个标准太阳光强,温度为75℃的平台上照射168小时;
3)测试衰减后电池片的效率值,记录为P1;
4)计算电池片的高温衰减值,具体公式为:P0-P1/P0*100%。
该测试方案耗时较长,过程中没有监控,仅仅测试一次衰减后数值,而背钝化电池的高温衰减是一个先快速衰减,后缓慢衰减,最后缓慢恢复的过程(如图3所示,背钝化电池随着测试时间的延长,AB段为快速衰减期,BC段为缓慢衰减期,CD段为缓慢恢复期),168小时是否已经衰减彻底或是否已经衰减后又再次恢复不得而知,所以这种测试方案容易导致电池片高温衰减的数值不准确,干扰实际结果的判断。
发明内容
本发明涉及一种背面钝化太阳能电池高温衰减的测试方法,通过一种可调节辐照强度与调节台面温度的装置,将辐照度从一个标准太阳光强(1SUN)提升至2-5个标准太阳光强(2-5SUN)之间,台面温度从75℃提升至90-110℃之间,进而快速的测试背面钝化太阳能电池的高温衰减值,将原先168小时的测试时间缩短至24-48小时,并且在过程中监控电池片衰减数值,能够提高测试准确性。
为解决现有技术的不足,本发明采用以下技术方案:一种测试背面钝化太阳能电池高温衰减的方法,包括以下步骤:
(1)测试电池片的初始效率,记录为P0;
(2)调节测试装置的光强与台面温度,待光强与台面温度稳定后将电池片放置到测试平台进行衰减;
(3)4-8小时后将电池片取下,待电池恢复常温后测试并记录电池效率P1,再次将电池片放置到测试平台上继续进行衰减;
(4)重复步骤(3),同时记录电池效率P2,P3,P4,…,Pn,待相邻两次的效率差值小于0.1%,进入下一个测试步骤;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造