[发明专利]顶电极具有上下空隙的体声波谐振器及制造方法、滤波器及电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极；

压电层；

顶电极；

覆盖层，至少覆盖所述顶电极的非电极连接端，

其中：

顶电极、压电层、底电极和声学镜在谐振器的厚度方向上的重合区域构成谐振器的有效区域；

顶电极的非电极连接端的下侧和上侧沿所述有效区域分别设置有第一空隙和第二空隙，且所述第二空隙所在的位置为覆盖层和/或顶电极的被移除的对应部分所在的位置，所述被移除的对应部分形成所述第二空隙。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述顶电极的非电极连接端的上表面的一部分限定所述第二空隙的下边界。

3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：

所述覆盖层包括质量负载层和钝化层，所述质量负载层设置在在顶电极与钝化层之间；且

所述质量负载层的非连接端在水平方向上处于所述钝化层的非连接端的内侧以形成所述第二空隙，所述钝化层的非连接端的下表面的一部分限定所述第二空隙的上边界，所述第二空隙与所述质量负载层同层布置。

4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：

所述质量负载层为单层质量负载层；或者

所述质量负载层包括至少两个质量负载层。

5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

所述质量负载层为金属层，且所述质量负载层的电阻率大于所述顶电极的电阻率；或者

所述质量负载层为金属层，且所述质量负载层基于特定刻蚀剂的被刻蚀速度大于所述顶电极基于所述特定刻蚀剂的被刻蚀速度；或者

所述质量负载层为与顶电极的材料相同的金属层，且所述质量负载层的材料密度小于所述顶电极的材料密度。

6.根据权利要求2所述的谐振器，其中：

所述覆盖层包括质量负载层和钝化层，所述质量负载层设置在在顶电极与钝化层之间；

所述质量负载层包括叠置的多层负载，所述多层负载的最下侧的一层或多层负载构成第一负载层单元，所述多层负载的剩下的负载层构成第二负载层单元，所述第一负载层单元的非连接端的一部分被移除以露出在上侧的第二负载层单元，所述第二负载层单元的下表面限定所述第二空隙的上边界，第一负载层单元的外端在水平方向上处于第二负载层单元的外端的内侧。

7.根据权利要求2所述的谐振器，其中：

所述覆盖层包括与所述顶电极的上表面接触的质量负载层，所述质量负载层的非连接端的下表面的一部分形成所述第二空隙的上边界。

8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：

所述质量负载层为单层质量负载层，所述单层质量负载层的非连接端的下表面的一部分形成所述第二空隙的上边界。

9.根据权利要求7所述的谐振器，其中：

所述质量负载层包括叠置的多层负载，所述多层负载的最下侧的一层或多层负载构成第一负载层单元，所述多层负载的剩下的负载层构成第二负载层单元，所述第一负载层单元的非连接端的一部分被移除以露出在上侧的第二负载层单元，所述第二负载层单元的下表面限定所述第二空隙的上边界第一负载层单元的外端在水平方向上处于第二负载层单元的外端的内侧。

10.根据权利要求6或9所述的谐振器，其中：

所述第一负载层单元和第二负载层单元为金属层，且所述第一负载层单元的电阻率大于所述第二负载层单元的电阻率；或者

所述第一负载层单元和第二负载层单元为金属层，且所述第一负载层单元基于特定刻蚀剂的被刻蚀速度大于所述第二负载层单元基于所述特定刻蚀剂的被刻蚀速度；或者

所述第一负载层单元为与所述第二负载层单元为材料相同的金属层，且所述第一负载层单元的材料密度小于所述第二负载层单元的材料密度。