[发明专利]一种高导热的改性聚乳酸薄膜及其制法

权利要求书

1.一种高导热的改性聚乳酸薄膜，包括以下按重量份数计的配方原料及组分，其特征在于：0.5-5份改性SiC修饰GO、3-8份改性纳米氮化硼、85-96份DL-乳酸、0.5-2份催化剂。

2.根据权利要求1所述的一种高导热的改性聚乳酸薄膜，其特征在于：所述催化剂为氯化亚锡。

3.根据权利要求1所述的一种高导热的改性聚乳酸薄膜，其特征在于：所述改性SiC修饰GO制备方法包括以下步骤：

(1)向反应瓶加入浓硝酸和浓硫酸，两者体积比为1:2-4，再加入石墨纳米片和纳米硅粉，将溶液置于低温冷却仪中，0-5℃下活化处理2-4h，升温至20-30℃，再加入氧化剂KMnO4，反应3-6h，将反应瓶置于恒温水浴锅中，加热至60-80℃，静置陈化5-10h，将温度降至30-40℃，再加入还原剂H₂O₂水溶液，反应2-4h，将溶液过滤除去溶剂，使用稀氢氧化钠溶液和蒸馏水洗涤固体产物直至中性，并充分干燥，制备得到纳米硅修饰氧化石墨烯；

(2)将纳米硅修饰氧化石墨烯置于气氛电阻炉中，并通入氩气，升温速率为5-10℃/min，升温至1280-1320℃，保温材料3-6h，将物料研磨成细粉，制备得到碳化硅修饰氧化石墨烯；

(3)向反应瓶中加入蒸馏水和乙醇溶剂，两者体积比为1:15-25，再加入碳化硅修饰氧化石墨烯和硅烷偶联剂，将反应瓶置于恒温水浴锅中，加热至50-70℃，反应12-18h，将溶液减压蒸馏除去溶剂，使用蒸馏水和乙醇洗涤固体产物，并充分干燥，制备得到改性碳化硅修饰氧化石墨烯，即为改性SiC修饰GO。

4.根据权利要求3所述的一种高导热的改性聚乳酸薄膜，其特征在于：所述石墨纳米片和纳米硅粉的质量比为3-6:1。

5.根据权利要求3所述的一种高导热的改性聚乳酸薄膜，其特征在于：所述硅烷偶联剂为N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷，碳化硅修饰氧化石墨烯和硅烷偶联剂的质量比为4-8:1。

6.根据权利要求3所述的一种高导热的改性聚乳酸薄膜，其特征在于：所述低温冷却仪包括冷却液槽、冷却液槽与与内保温胆固定连接，内保温胆外层固定连接有真空保温层，真空保温层的外层与外保温层固定连接，外保温层外部固定连接有冷却仪外壳，冷却仪外壳上方与隔热罩活动连接，隔热罩的中部设置有反应瓶孔、反应瓶孔与活动杆固定连接、活动杆的一端通过螺母与活动夹活动连接。

7.根据权利要求1述的一种高导热的改性聚乳酸薄膜，其特征在于：所述改性纳米氮化硼制备方法包括以下步骤：

(1)向反应瓶中加入适量的蒸馏水溶剂，纳米氮化硼和原花青素，将反应瓶置于超声分散仪中，进行超声分散处理1-2h，超声频率为20-30KHz，再加入三(羟甲基)氨基甲烷，搅拌均匀后加入盐酸调节溶液pH至8-10，将反应瓶置于恒温水浴锅中，加热至60-80℃，匀速搅拌反应10-15h，将溶液真空干燥除去溶剂，使用蒸馏水和乙醇洗涤固体产物，并充分干燥，制备得到原花青素接枝的改性纳米氮化硼。

8.根据权利要求1述的一种高导热的改性聚乳酸薄膜，其特征在于：所述高导热的改性聚乳酸薄膜制备方法包括以下步骤：

(1)向真空反应釜中加入N,N-二甲基甲酰胺溶剂、85-96份DL-乳酸、0.5-5份改性SiC修饰GO、3-8份改性纳米氮化硼和0.5-2份催化剂氯化亚锡，在压力为20-60Pa下，加热至170-190℃，反应15-20h，将溶液冷却至室温，导热成膜模具中，自然流延成膜，并充分干燥，制备得到高导热的改性聚乳酸薄膜。