[发明专利]一种用于光电探测的复合材料制备方法有效
| 申请号: | 202010835436.8 | 申请日: | 2020-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN111916531B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
| 发明(设计)人: | 秦鹏超;付永启;冯双龙 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/074;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 邓黎 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 光电 探测 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种用于光电探测的复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1.将硝酸锌溶解于超纯水中,得到浓度为0.04-0.07mol/l的硝酸锌溶液;
S2.在硝酸锌溶液中加入能够使硝酸锌完全反应的氨水,并磁力搅拌进行反应,得到氢氧化锌混合溶液;
S3.将石墨烯薄膜利用湿法技术转移到硅片基底上,然后置于氢氧化锌混合溶液中,水浴沉积,分离,得到前置样品;
S4.将前置样品预加热0.5h-3h,加热温度为90℃—150℃;然后采用化学气相沉积法,在保护气体氛围下,对前置样品加热,其中加热时间为1-5min,微波功率为700W,得到氧化锌/石墨烯样品;
S5.采用电化学沉积法,将氧化锌/石墨烯样品置于前驱体混合溶液中,在氧化锌/石墨烯样品上沉积硫化铅薄膜;所述前驱体混合溶液为乙酸铅、乙二胺四乙酸二钠、硫化钠的混合溶液;
S6.沉积完成后,获得硫化铅/氧化锌/石墨烯的复合材料。
2.如权利要求1所述的一种用于光电探测的复合材料的制备方法,其特征在于,步骤S5中所述的前驱体混合溶液的制备方法为:在乙酸铅混合溶液中依次倒入乙二胺四乙酸二钠溶液、硫化钠溶液,其中:乙酸铅溶液浓度为20mmol/l,乙二胺四乙酸二钠溶液浓度为10mmol/l,硫化钠溶液浓度为0.15mmol/l;乙酸铅溶液:乙二胺四乙酸二钠溶液:硫化钠溶液的体积比为2:2:1。
3.如权利要求1或2所述的一种用于光电探测的复合材料的制备方法,其特征在于,步骤S5中电化学沉积法选择恒电位沉积,其中沉积电位的选择由线性循环伏安分析来确定,沉积电位选择范围为-0.75v~-0.95v,沉积时间范围为10min-60min。
4.如权利要求3所述的一种用于光电探测的复合材料的制备方法,其特征在于,步骤S4中所述保护气体为氩气。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010835436.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





