[发明专利]半导体蚀刻结构的形成方法及残留聚合物的去除方法在审
| 申请号： | 202010835373.6 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN114078694A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李雪林;李咏絮 | 申请（专利权）人： | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 杨帆;宋薇薇 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 蚀刻 结构 形成 方法 残留 聚合物 去除 | ||
1.一种半导体蚀刻结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供一半导体基底；
(2)在所述半导体基底上形成光阻层；
(3)图案化所述光阻层，并以图案化后的光阻层为掩膜，对所述半导体基底进行等离子体蚀刻，在所述等离子体蚀刻过程中，部分光阻变质形成聚合物；
(4)进行第一干式蚀刻以去除光阻层；
(5)进行第一湿式蚀刻以去除大部分聚合物；
(6)进行第二干式蚀刻以去除残留的光阻；以及
(7)进行第二湿式蚀刻以去除残留的聚合物。
2.根据权利要求1所述的半导体蚀刻结构的形成方法，其特征在于，所述第一干式蚀刻采用氧气、氮气作为蚀刻剂。
3.根据权利要求1所述的半导体蚀刻结构的形成方法，其特征在于，所述第一湿式蚀刻采用EKC溶液作为蚀刻液。
4.根据权利要求1所述的半导体蚀刻结构的形成方法，其特征在于，所述第二干式蚀刻采用氧气作为蚀刻剂。
5.根据权利要求1所述的半导体蚀刻结构的形成方法，其特征在于，所述第二湿式蚀刻采用EKC溶液作为蚀刻液。
6.根据权利要求1所述的半导体蚀刻结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体蚀刻采用氯气、氯化硼、氮气作为蚀刻剂。
7.根据权利要求1所述的半导体蚀刻结构的形成方法，其特征在于，所述光阻层的厚度为36K。
8.一种蚀刻后残留聚合物的去除方法，所述蚀刻后残留聚合物是在对半导体基底进行等离子体蚀刻过程中由光阻形成的，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)进行第一湿式蚀刻以去除大部分聚合物；
(2)进行干式蚀刻以去除残留的光阻；以及
(3)进行第二湿式蚀刻以去除残留的聚合物。
9.根据权利要求8所述的蚀刻后残留聚合物的去除方法，其特征在于，所述干式蚀刻采用氧气作为蚀刻剂。
10.根据权利要求8所述的蚀刻后残留聚合物的去除方法，其特征在于，所述第一湿式蚀刻和所述第二湿式蚀刻均采用EKC溶液作为蚀刻液。
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