[发明专利]阵列基板、显示面板及其装置有效
申请号: | 202010835193.8 | 申请日: | 2020-08-19 |
公开(公告)号: | CN111933677B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 赵东方 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H10K59/126 | 分类号: | H10K59/126;H10K59/40;H01L27/12 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 方晓燕 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 及其 装置 | ||
本申请提供一种阵列基板,其包括衬底;多个发光元件,其位于所述衬底上;多个驱动薄膜晶体管,其位于所述衬底上,用于驱动所述多个发光元件发光,所述驱动薄膜晶体管包括第一有源层,所述第一有源层包括源区、漏区以及位于源区和漏区之间的沟道;遮光层,所述遮光层包括第一开口,所述第一开口在所述衬底上的正投影与所述第一有源层在所述衬底上的正投影至少部分重叠。本申请通过图形化所述遮光层,所述遮光层包括第一开口,所述第一开口在所述衬底上的正投影与所述第一有源层在所述衬底上的正投影至少部分重叠。以改善因光照影响驱动晶体管的阈值电压漂移导致的显示不均,出现的显示Mura现象。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、显示面板及其装置。
背景技术
有机发光二极管显示面板具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,因此成为一种重要的显示技术。
现有技术中,指纹识别一般放置在机身Home键或者背部区域,而随着全面屏的普及以及消费者对于手机一体化的追求,单独为指纹识别挖个凹槽已经不是最佳选择。随着智能手机指纹识别技术的不断进步,当前屏下指纹(FOD,Fingerprint-On-Display或Fingerprint under display)技术已经成为主要的指纹识别技术之一。
在屏下指纹技术中,屏下指纹需要结合光传感识别技术是主要用于实现指纹识别的手段。该技术依靠显示屏发出的局部强光将使用者的指纹信息传递到位于显示模组下方的指纹光传感器上,指纹光传感器将带有指纹信息的光信号转换为电信号加以识别。屏下指纹识别区域的阵列基板受光影响程度更大,会随着光线影响增大阵列基板中的驱动晶体管出现阈值电压漂移现象,造成显示不均,形成显示Mura的问题。
发明内容
本申请提供一种显示面板,通过图形化遮光层,减少光线对阵列基板的驱动晶体管沟道的照射,改善驱动晶体管受光线影响导致的阈值电压漂移现象。解决了现有技术中显示不均,形成显示Mura的问题。
本申请还提供一种显示装置,其特征在于,包括如上述所述的显示面板。一种阵列基板,其包括衬底;多个发光元件,其位于所述衬底上;多个驱动薄膜晶体管,其位于所述衬底上,用于驱动所述多个发光元件发光,所述驱动薄膜晶体管包括第一有源层,所述第一有源层包括源区、漏区以及位于源区和漏区之间的沟道;遮光层,所述遮光层包括第一开口,所述第一开口在所述衬底上的正投影与所述第一有源层在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
在一实施例中,所述第一开口在所述衬底上的正投影与所述沟道在所述衬底上的正投影完全重叠。
在一实施例中,所述第一开口在所述衬底上的正投影与所述源区和/或所述漏区在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
在一实施例中,所述驱动薄膜晶体管为顶栅结构,所述遮光层位于所述衬底与所述第一有源层之间;所述驱动薄膜晶体管为底栅结构,所述遮光层位于所述驱动薄膜晶体管远离所述衬底的一侧。
在一实施例中,所述阵列基板还包括电容,所述遮光层还包括第二开口,所述第二开口在所述衬底上的正投影与所述电容在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
在一实施例中,所述驱动薄膜晶体管还包括位于第一有源层和所述发光元件之间的第一栅极,所述第一开口在所述衬底上的正投影与所述第一栅极在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
在一实施例中,所述第一开口在所述衬底上的正投影与所述第一栅极在所述衬底上的正投影完全重叠。
在一实施例中,所述阵列基板还包括:多个开关薄膜晶体管,其构造为分别控制所述多个驱动薄膜晶体管的开启/关断切换,所述开关薄膜晶体管包括第二有源层;其中,遮光层包括第三开口,所述第三开口在所述衬底上的正投影与所述第二有源层在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
在一实施例中,所述遮光层的厚度为2-10nm,其透光率大于或等于50%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云谷(固安)科技有限公司,未经云谷(固安)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010835193.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。