[发明专利]碎片样品的平面扩展方法以及平面扩展的碎片样品

说明书

本发明公开了一种碎片样品的平面扩展方法以及平面扩展的碎片样品。其中，该方法包括：获取第一平面衬底和第二平面衬底，其中，第一平面衬底和第二平面衬底均为表面光滑且尺寸大于所述碎片样品的尺寸的平面衬底；将碎片样品放置于第一平面衬底上；获取夹具，夹具具有中空设置，中空设置用于容置碎片样品；将夹具压置于第一平面衬底上，且夹具的中空设置套置于碎片衬底上；在夹具的中空设置处涂敷填充物；将第二平面衬底压置于夹具上；剥离第一平面衬底和第二平面衬底，得到平面扩展后的碎片样品。该方法实现简单，提高了匀胶工艺中小尺寸碎片样品特别是小尺寸样品边缘光刻胶的均匀性，并使得碎片样品兼容现有晶圆加工设备，降低了加工成本。

技术领域

本发明涉及微纳米制造加工技术领域，具体地，涉及一种碎片样品的平面扩展方法以及平面扩展的碎片样品。

背景技术

微纳加工技术指在亚毫米、微米和纳米量级的尺度上对元件以及由这些元件构成的部件或系统进行优化设计、加工、组装、系统集成等，涉及多个领域和学科，是先进制造的重要组成部分。如今基于微纳加工技术，可以在新材料、新器件、新功能上进行研究和探索，进而推动科技进步、促进产业发展。但在加工过程中，不可避免的会遇到一些加工上的困难。

在实现本发明构思的过程中，发明人发现相关技术中至少存在如下问题，对于一些新型高性能材料器件的研究和制造，由于受限材料制备技术本身和成本限制，无法提供标准制式大小的晶圆，经常会涉及到2寸或是更小尺寸的样品加工，目前对于小尺寸样品的加工往往面临着许多问题。例如，光刻胶匀胶的均匀性差，加工设备与样品兼容性差，加工过程可操作性差等。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明提供了一种碎片样品的平面扩展方法以及平面扩展的碎片样品，以至少部分解决上述问题。

(二)技术方案

本发明的一个方面提供了一种碎片样品的平面扩展方法，包括：获取第一平面衬底和第二平面衬底，其中，所述第一平面衬底和所述第二平面衬底均为表面光滑且尺寸大于所述碎片样品的尺寸的平面衬底；将所述碎片样品放置于所述第一平面衬底上；获取夹具，所述夹具具有中空设置，所述中空设置用于容置所述碎片样品；将所述夹具压置于所述第一平面衬底上，且所述夹具的中空设置套置于所述碎片衬底上；在所述夹具的中空设置处涂敷填充物；将所述第二平面衬底压置于所述夹具上；剥离所述第一平面衬底和所述第二平面衬底，得到平面扩展后的所述碎片样品。

可选地，所述第一平面衬底和所述第二平面衬底的材料包括聚二甲基硅氧烷。

可选地，所述获取夹具包括：通过机械加工、激光加工、湿法刻蚀以及干法刻蚀的方式得到所述夹具。

可选地，所述夹具的材料包括硅、玻璃或金属。

可选地，夹具的形状尺寸根据加工设备对样品形状尺寸的要求进行选择和适配；所述夹具的形状包括正方形、长方形或圆形。

可选地，所述填充物包括紫外胶、聚甲基丙烯酸甲酯或热固胶。

可选地，在所述夹具的中空设置处涂敷填充物还包括：等待第一预设时间，使所述填充物漫布所述夹具。

可选地，将所述第二平面衬底压置于所述夹具上还包括：等待第二预设时间，使所述填充物完全填充所述碎片样品、所述第一平面衬底、所述第二平面衬底和所述夹具之间的空隙。

可选地，将所述第二平面衬底压置于所述夹具上还包括：在预设环境下等待第三预设时间，使所述填充物固化。

本发明的另一个方面提供了一种平面扩展的碎片样品，通过上述的方法得到。

(三)有益效果

本发明通过的该碎片样品的平面扩展方法以及平面扩展的碎片样品，具有以下有益效果：