[发明专利]一种基于阵列型二元相位调制的哈特曼波前传感器有效

专利信息
申请号: 202010834584.8 申请日: 2020-08-19
公开(公告)号: CN111998962B 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 赵孟孟;赵旺;王帅;杨平;鲍华 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: G01J9/00 分类号: G01J9/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610209 *** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 阵列 二元 相位 调制 哈特曼波前 传感器
【权利要求书】:

1.一种基于阵列型二元相位调制的哈特曼波前传感器,其特征在于:采用特殊的阵列型二元相位调制元件调制入射光束,主要由二元相位调制微透镜阵列和光电探测器组成,光电探测器置于二元相位调制微透镜阵列的焦平面处;光束经过二元相位调制微透镜阵列后被分割聚焦到光电探测器上,形成特殊的光斑阵列图像,最后采用相位恢复算法从光斑阵列图像中复原波前;

所述的阵列型二元相位调制元件在每个子孔径内引入的相位调制是非连续的、非中心对称的二元相位,则整个阵列型二元相位调制由下式表述:

式中(x,y)为阵列型二元相位调制元件的空间坐标,a、b分别为阵列型二元相位调制元件在x、y方向上的尺寸,为每个子孔径内引入的非连续的、非中心对称的二元相位调制,为梳状函数,为矩形函数。

2.如权利要求1所述的一种基于阵列型二元相位调制的哈特曼波前传感器,其特征在于:所述的阵列型二元相位调制元件是直接在微透镜阵列中刻蚀阵列型二元相位,或者是阵列型二元相位调制元件与微透镜阵列的组合,阵列型二元相位调制元件置于微透镜阵列前或者贴附于微透镜阵列上,且阵列型二元相位调制元件的子孔径与微透镜阵列的子孔径一一对应。

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