[发明专利]一种用于电致变色的装饰膜及其制备方法

权利要求书

1.一种用于电致变色的装饰膜，其特征在于：包括将上薄膜层（11）作为衬底基材的上镀膜层、电致变色层（2）、将下薄膜层（31）作为衬底基材的下镀膜层，所述上镀膜层，所述下镀膜层分别贴合覆盖在所述电致变色层（2）两侧面形成一体。

2.根据权利要求1所述的一种用于电致变色的装饰膜，其特征在于：所述上镀膜层还包括通过涂布工艺涂设在所述上薄膜层（11）上面的HC加硬层（12）、通过涂布工艺涂设在所述上薄膜层（11）的下面的上IM消影层（13）、通过磁控溅射工艺镀设在所述上IM消影层（13）下面的上二氧化硅层（14）、通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层（14）下面的上氧化铟锡层（15）、或者通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层（14）下面的上AZO层（15）、或者通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层（14）下面的上MTO层（15），所述上氧化铟锡层（15）、所述上AZO层（15）或者所述上MTO层（15）贴设于所述电致变色层（2）的上面，其中，所述上氧化铟锡层（15）中氧化铟含量为90-97%，氧化锡含量为3-10%；所述上AZO层（15）中氧化铝含量为1-10%，氧化锌含量为90-99%，所述上MTO层（15）中氧化锰含量为2-10%，氧化铟含量为90-98%。

3.根据权利要求2所述的一种用于电致变色的装饰膜，其特征在于：所述上IM消影层（13）的厚度为600-900nm, 折射率在1.47～1.7，所述HC加硬层（12）的厚度为1-5um, 折射率在1.47～1.65，所述上二氧化硅层（14）和所述上氧化铟锡层（15）或者所述上AZO层（15）或者所述上MTO层（15）的总厚度为10-20nm。

4.根据权利要求1所述的一种用于电致变色的装饰膜，其特征在于：所述下镀膜层还包括通过涂布工艺涂设在所述下薄膜层（31）上面的下IM消影层（32），通过磁控溅射工艺镀设在所述下IM消影层（32）上面的下二氧化硅层（33），通过磁控溅射工艺镀设在所述下二氧化硅层（33）上面的下氧化铟锡层（34）、或者通过磁控溅射工艺镀设在所述下二氧化硅层（33）上面的下AZO层（34）、或者通过磁控溅射工艺镀设在所述下二氧化硅层（33）上面的下MTO层（34），所述下氧化铟锡层（34）、所述下AZO层（34）或者所述下MTO层（34）贴设于所述电致变色层（2）的下面，其中，所述下氧化铟锡层（34）中氧化铟含量为90-97%，氧化锡含量为3-10%；所述下AZO层（34）中氧化铝含量为1-10%，氧化锌含量为90-99%，所述下MTO层（34）中氧化锰含量为2-10%，氧化铟含量为90-98%。

5.根据权利要求4所述的一种用于电致变色的装饰膜，其特征在于：所述下薄膜层（31）的下面具有UV压印层。

6.根据权利要求4所述的一种用于电致变色的装饰膜，其特征在于：所述下IM消影层（32）的厚度为600-900nm,所述下二氧化硅层（33）和所述下氧化铟锡层（34）或者所述下AZO层（34）或者所述下MTO层（34）的总厚度为10-20nm。

7.根据权利要求1所述的一种用于电致变色的装饰膜，其特征在于：所述上薄膜层（11）的材质为PET、PC、COP或者PI，所述下薄膜层（31）的材质为PET、PC、COP或者PI。

8.根据权利要求1所述的一种用于电致变色的装饰膜，其特征在于：所述电致变色层（2）为离子导电层、电子绝缘的解质层或者导电聚合物层。

9.根据权利要求1所述的一种用于电致变色的装饰膜，其特征在于：所述电致变色层（2）为聚苯胺层、聚吡咯层、聚噻吩层、1,1′-双取代基-4,4′-联吡啶层、二酞菁合镥层、聚(3,4-乙撑氧噻吩)层、聚[3,4-(2,2′- 二甲基丙烯二氧基）噻吩]层、聚噻吩层、二酞菁合镥层、锰酞菁层中的一种。

10.一种制备权利要求1-9所述一种用于电致变色的装饰膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一：准备三种材料：上镀膜层，电致变色层（2），下镀膜层；

步骤二：上镀膜层贴覆在电致变色层的上面；

步骤三：下镀膜层贴覆在电致变色层的下面，制作完成。