[发明专利]一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片有效
| 申请号: | 202010829939.4 | 申请日: | 2020-08-18 |
| 公开(公告)号: | CN114078988B | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
| 发明(设计)人: | 翟峰;许时渊 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/48;H01L21/683 |
| 代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 李发兵 |
| 地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 红光 led 芯片 制备 方法 | ||
本发明涉及一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片。通过晶粒胶层中的粘附胶实现红光外延层与绝缘基板的结合,实现红光外延层从生长基板到绝缘基板的转移。同时,在晶粒胶层中靠近红光外延层的一侧设置有晶粒层,晶粒层由多个处于同一水平面的胶体晶粒形成。相较于纯粘附胶层,胶体晶粒能够提升晶粒胶层对激光能量的吸收率,从而提升激光对粘附胶的分解效率与分解的彻底程度。而且,晶粒层处于晶粒胶层中靠近红光外延层的一侧,因此,晶粒胶层中首先被分解的会是靠近红光外延层的粘附胶,这就使得剥离绝缘基板时粘附在红光外延层上的粘附胶能得到快速彻底的分解,从而避免粘附胶残留在红光外延层上,提升了红光LED芯片的出光效果。
技术领域
本发明涉及LED技术领域,尤其涉及一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片。
背景技术
目前,LED高清显示方案中都离不开红光、绿光、蓝光LED芯片。这三种颜色的LED芯片最终的制备过程都是在蓝宝石衬底上进行的,制备完成后,需要采用激光分离LED芯片与蓝宝石衬底。该工艺过程对于蓝光或绿光LED芯片而言,成熟简单。但对于红光LED芯片而言,因为红光外延层实际上是通过BCB(苯并环丁烯)胶粘接在蓝宝石衬底上的,因此,剥离蓝宝石衬底实际上就是通过分解BCB胶层从而解除其对红光LED芯片与蓝宝石衬底的粘接结合,但因为BCB胶对激光的吸收较差,所以,该过程中纯粹是靠物理冲击作用使BCB胶发生碳化而分解,这就容易出现去胶不完全的问题,从而使得残胶遗留在红光LED芯片上,影响红光LED芯片显示效果。
因此,如何改善红光LED芯片与蓝宝石衬底的剥离效果是目前亟待解决的问题。
发明内容
鉴于上述相关技术的不足,本申请的目的在于提供一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片,旨在解决相关生产红光LED芯片的技术中剥离红光LED芯片与蓝宝石衬底时,容易遗留残胶在红光LED芯片上影响红光LED芯片显示效果的问题。
本申请提供一种红光LED芯片制备方法,包括:
在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层,晶粒胶层包括粘附胶及被粘附胶包覆的多个胶体晶粒,多个胶体晶粒处于同一水平面形成晶粒层,晶粒层位于晶粒胶层靠近红光外延层的一侧;
利用晶粒胶层中的粘附胶将绝缘基板粘附在晶粒胶层上并去除生长基板,以将红光外延层从生长基板转移至绝缘基板;
设置与红光外延层中半导体层电连接的电极;
采用激光分解晶粒胶层中的粘附胶,以分离红光外延层与绝缘基板。
上述红光LED芯片制备方法,通过晶粒胶层中的粘附胶实现红光外延层与绝缘基板的结合,从而完成红光外延层从生长基板到绝缘基板的转移。同时,在晶粒胶层中靠近红光外延层的一侧设置有晶粒层,晶粒层由多个处于同一水平面的胶体晶粒形成。相较于纯粘附胶层,晶粒胶层中的胶体晶粒能够提升晶粒胶层对激光能量的吸收率,从而提升激光对粘附胶的分解效率与分解的彻底程度。而且,晶粒层处于晶粒胶层中靠近红光外延层的一侧,因此,晶粒胶层中首先被分解的会是靠近红光外延层的粘附胶,这就使得在剥离绝缘基板的过程中,粘附在红光外延层上的粘附胶能得到快速彻底的分解,从而避免粘附胶残留在红光外延层上。该红光LED芯片制备方法提升了红光LED芯片的出光效果,增强了红光LED芯片的品质。
可选地,在置于生长基板的红光外延层上设置晶粒胶层包括:
在置于生长基板的红光外延层上设置混晶胶,以形成包括一层胶体晶粒的晶粒层;粒混晶胶包括粘附胶以及分散在粘附胶中的胶体晶粒;
在晶粒层上设置纯粘附胶形成纯胶层,晶粒层与纯胶层共同构成晶粒胶层。
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