[发明专利]一种射频功率放大器在审
| 申请号： | 202010829875.8 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN111969960A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 刘维红;董维维;韩文焕;鲁凡;宋维勇 | 申请（专利权）人： | 西安邮电大学 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/42;H03F3/24 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 710121 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率放大器 | ||
1.一种射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器包括：N个功率放大单元和与所述N个功率放大单元连接的编码器；
其中，每个功率放大单元包括：驱动单元、与所述驱动单元连接的开关单元和与所述开关单元连接的电容单元；
N个电容单元包括M个第一电容单元和N-M个第二电容单元，所述M个第一电容单元中的每个电容单元的电容值不同，所述N-M个第二电容单元的电容值均相同，0≤M＜N，M和N均为正整数。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述M个第一电容单元中的第Q个第一电容单元的电容值与第Q+1个第一电容单元的电容值的比值相同。
3.根据权利要求1或2所述的射频功率放大器，其特征在于，N个电容单元的输入端与所述编码器的输出端相短接。
4.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，N个驱动单元的输入端与所述编码器的输出端相连接，所述驱动单元的P输出端和N输出端均输出控制信号。
5.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，针对N个开关单元中的每个开关单元，一个开关单元包括：第一PMOS管，第二PMOS管，第一NMOS管和第二NMOS管；
其中，所述第一PMOS管的源极连接正供电源Vdd；所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的源极短接；
所述第一NMOS管的源极连接地；所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的源极短接；
所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极短接，作为所述电容单元的输入端；所述第二PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极短接连接正供电源Vdd/2；
所述第二PMOS管的栅极作为P控制端与所述驱动电路的P输出端短接；所述第二NMOS管的栅极作为N控制端与所述驱动电路的N输出端短接。
6.根据权利要求5所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一PMOS管，第二PMOS管尺寸大于第一NMOS管，第二NMOS管。
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