[发明专利]蚀刻组合物、使用蚀刻组合物蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法

权利要求书

1.一种蚀刻组合物，其包含：

磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物以及由下式1表示的有机磷酸酯：

[式1]

其中，

R¹至R³独立地为氢或者取代或未取代的烃基基团，并且R¹至R³的至少一个为取代或未取代的烃基基团。

2.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述烃基基团为取代或未取代的C₁-C₂₀烷基基团、取代或未取代的C₂-C₂₀烯基基团或者取代或未取代的C₆-C₂₀芳基基团。

3.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，R¹至R³是取代或未取代的C₁-C₁₀烷基基团或者取代或未取代的C₆-C₁₀芳基基团。

4.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中式1的所述有机磷酸酯选自以下结构(1)至(27)：

5.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中所述硅烷化合物由下式2表示：

[式2]

其中，在式2中，

R⁵¹至R⁵⁴独立地为氢、取代或未取代的烃基基团或者取代或未取代的杂烃基基团，并且R⁵¹至R⁵⁴独立地存在，或者其中两个或更多个形成通过杂原子连接的环。

6.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述蚀刻组合物包含70重量％至95重量％的量的磷酸、0.001重量％至5重量％的量的硅烷化合物以及0.001重量％至10重量％的量的有机磷酸酯。

7.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其进一步包含铵盐。

8.一种使用权利要求1至7中任一项所述的蚀刻组合物蚀刻绝缘膜的方法。

9.一种用于制造半导体器件的方法，其包括：

在基底上顺序地形成隧道氧化物膜、多晶硅膜、缓冲氧化物膜和垫氮化物膜；

通过选择性地刻蚀所述多晶硅膜、所述缓冲氧化物膜和所述垫氮化物膜形成沟槽；

形成SOD氧化物膜以间隙填充所述沟槽；

使用所述垫氮化物膜作为抛光停止膜对所述SOD氧化物膜进行化学机械抛光(CMP)工艺；

使用权利要求1至7中任一项所述的蚀刻组合物通过湿法蚀刻去除所述垫氮化物膜；

去除所述缓冲氧化物膜。