[发明专利]一种三合一硅片镀膜工艺在审
| 申请号： | 202010824658.X | 申请日： | 2020-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN112117188A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 王军;张三洋;赵飞 | 申请（专利权）人： | 无锡赛瑞达科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318;H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三合一 硅片 镀膜 工艺 | ||
1.一种三合一硅片镀膜工艺，其特征在于，包括如下步骤；
S1：将表面清洗干净的硅片插入石墨舟片上，将石墨舟送入石英炉管内，升温到200-500℃度并抽真空；
S2:通入强氧化性气体进行硅片表面氧化，氧化层厚度控制在1-5nm，其反应温度在200-500℃范围内，完成后通保护气体吹扫炉管并抽真空；
S3:通入铝源和氧源,使用原子沉积方式在二氧化硅表面生长AL2O3层厚度在0-10nm，完成后通保护气体吹扫炉管并抽真空；
S4：通入铝源和氧源，使用等离子增强化学气相沉积生成AL2O3层厚度在0-20nm，完成后通保护气体吹扫炉管并抽真空；
S5:升温到350-500℃并稳定至氮化硅沉积温度，同时进行氮化硅镀膜前的表面处理；
S6:通入氨气、硅烷、一氧化二氮，使用等离子增强化学气相沉积方式生长SiNxO和SiNx层，厚度在50-120nm，完成后通保护气体吹扫炉管并抽真空；
S7:破真空、降温到200℃并出舟卸料。
2.根据权利要求1所述的一种三合一硅片镀膜工艺，其特征在于，所述S1中石墨舟表面经过碳化硅镀膜处理，避免石墨舟被氧化。
3.根据权利要求1所述的一种三合一硅片镀膜工艺，其特征在于，所述S2中强氧化性气体采用O3+O2+H2O混合通入，能在较低温度下生成氧化层。
4.根据权利要求1所述的一种三合一硅片镀膜工艺，其特征在于，所述S3中铝源采用液态三甲基铝，通入流量为0-15SLM，通源时间0-60min，所述氧源优选水蒸汽，通源时间为0-60min，通入流量为0-10SLM。
5.根据权利要求1所述的一种三合一硅片镀膜工艺，其特征在于，所述S4中铝源通入量0-20SLM，通源时间0-60min,所述氧源通源时间0-60，通入量0-15SLM。
6.根据权利要求1所述的一种三合一硅片镀膜工艺，其特征在于，所述S5表面处理采用表面氮气吹扫，氮气通入流量为0-20SLM，吹扫时间为0-20min。
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