[发明专利]传感器薄膜结构及其制造方法在审
申请号: | 202010823968.X | 申请日: | 2020-08-17 |
公开(公告)号: | CN113044801A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 许忠龙;陈旷举;萧鹏展;刘汉英 | 申请(专利权)人: | 新唐科技股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 谷敬丽;任默闻 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 薄膜 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种传感器薄膜结构,其特征在于,包括:
一基板,具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面,其中一空腔形成于该第一表面,一开口形成于该第二表面,且该空腔与该开口连通,其中该空腔和该开口沿垂直于该第一表面的方向贯穿该基板;
一第一绝缘层,设置于该基板的该第一表面上,其中在垂直于该第一表面的方向上,该第一绝缘层与该开口至少部分重叠;以及
一装置层,设置于该第一绝缘层上。
2.如权利要求1所述的传感器薄膜结构,其特征在于,在平行于该第一表面的方向上,该空腔的宽度大于该开口的宽度。
3.如权利要求1所述的传感器薄膜结构,其特征在于,还包括一第二绝缘层,设置于该装置层上,其中该第二绝缘层形成有一过孔,且在垂直于该第一表面的方向上,该过孔与该空腔不重叠。
4.如权利要求3所述的传感器薄膜结构,其特征在于,还包括一导电元件,设置于该第二绝缘层上,且该导电元件延伸至该过孔上方。
5.如权利要求1所述的传感器薄膜结构,其特征在于,还包括一电子元件,设置于该装置层中,其中在垂直于该第一表面的方向上,该电子元件与该空腔至少部分重叠。
6.如权利要求1所述的传感器薄膜结构,其特征在于,该装置层具有与该空腔交界的一表面。
7.如权利要求1所述的传感器薄膜结构,其特征在于,该第一绝缘层将该装置层与该空腔分隔开。
8.如权利要求1所述的传感器薄膜结构,其特征在于,该基板具有多个开口,形成于该第二表面,且这些开口与该空腔连通。
9.如权利要求8所述的传感器薄膜结构,其特征在于,在平行于该第一表面的方向上,该空腔的宽度大于所述这些开口的宽度总和。
10.如权利要求1所述的传感器薄膜结构,其特征在于,该基板具有:
多个空腔,形成于该第一表面;
多个开口,形成于该第二表面,且这些空腔的每一个分别与这些开口的至少一个连通。
11.如权利要求1所述的传感器薄膜结构,其特征在于,该第一绝缘层对应于该开口处的厚度小于该第一绝缘层非对应于该开口处的厚度。
12.一种传感器薄膜结构的制造方法,其特征在于,包括:
提供一基板,其中该基板具有一空腔;
提供一装置,且将该装置接合于该基板上,其中该装置包括一绝缘层,且在将该装置与该基板结合之后,该绝缘层与该空腔交界;以及
刻蚀该基板,以形成与该空腔连通的一开口。
13.如权利要求12所述的传感器薄膜结构的制造方法,其特征在于,该装置包括一装置层及该绝缘层,该绝缘层设置于该基板上,且该装置层设置于该绝缘层上。
14.如权利要求13所述的传感器薄膜结构的制造方法,其特征在于,还包括在该装置层中设置一电子元件,其中该电子元件至少部分位于该空腔的正上方。
15.如权利要求13所述的传感器薄膜结构的制造方法,其特征在于,还包括在形成该开口期间,刻蚀该绝缘层。
16.如权利要求15所述的传感器薄膜结构的制造方法,其特征在于,刻蚀该绝缘层以使得该装置层具有与该空腔交界的一表面。
17.如权利要求12所述的传感器薄膜结构的制造方法,其特征在于,该空腔的宽度大于该开口的宽度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新唐科技股份有限公司,未经新唐科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010823968.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。