[发明专利]用片上局部热源减少图像传感器中的热阴影的方法和系统

说明书

提供了用片上局部热源减少图像传感器中的热阴影的方法和系统。所述方法包括：检测CMOS图像传感器中的发生热阴影的一个或多个区域，CMOS图像传感器包括芯片中的多个加热元件；基于检测到的所述一个或多个区域将所述多个加热元件的子集自动切换为接通；以及在CMOS图像传感器的有效功耗阶段将所述多个加热元件的子集自动切换为断开。

本申请要求于2019年8月17日在印度知识产权局提交的第201941033238号印度专利申请的优先权，该印度专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

公开的实施例涉及一种图像传感器，更具体地，涉及一种具有布置成行和列的多个像素的图像传感器，该图像传感器用在例如配备有相机的移动电话、汽车图像传感器、监控图像传感器和任何互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器中以减少热暗阴影(thermal dark shading)。

背景技术

在图像传感器中，每个光接收元件输出具有积分光分量和积分暗电流分量的信号。暗电流是不期望的电流，其在互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器中累积(intrgrate)为像素的光电二极管中的电荷，并且与温度相关。由于图像传感器的大尺寸和不均匀的功耗密度，在图像传感器芯片各处的温度可能是不均匀的，这导致芯片上的不均匀的暗电流。每个像素上的由暗电流引起的累积电荷导致像素信号电压的偏移。这在图像传感器中导致暗阴影(或热阴影)，在暗阴影(或热阴影)中，暗图像的阴影由在像素阵列各处的像素中的不均匀暗电流所造成的不均匀偏移导致。暗阴影在图像中造成在低光条件下可见的阴影图案。

因此，存在对克服上述问题的解决方案的需求。

发明内容

提供本发明内容以简化的形式介绍在公开的具体实施方式中进一步描述的构思的选择。本发明内容既不意图确定公开的关键的或必要的发明构思，也不意图确定公开的范围。

根据示例实施例的一方面，提供了一种用于减少互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器中的热阴影的方法，所述方法包括：检测CMOS图像传感器中的发生热阴影的一个或多个区域，CMOS图像传感器包括芯片中的多个加热元件；基于检测到的所述一个或多个区域将所述多个加热元件的子集自动切换为接通；以及在CMOS图像传感器的有效功耗阶段将所述多个加热元件的子集自动切换为断开。

根据示例实施例的一方面，提供了一种用于减少互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器中的热阴影的系统，所述系统包括：CMOS图像传感器，CMOS图像传感器包括检测器并且包括芯片中的多个加热元件；以及控制器，与CMOS图像传感器相关联，并且被配置为：基于发生热阴影的确定，自动切换所述多个加热元件的子集；以及在CMOS图像传感器的有效功耗阶段将所述多个加热元件的子集自动切换为断开。

附图说明

从下面结合附图进行的描述，公开的特定示例实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加清楚，在附图中：

图1示出了根据示例实施例的用于减少互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器中的热暗阴影的系统的示意性框图；

图2示出了根据示例实施例的示出CMOS图像传感器阵列的配置的示意性框图；

图3示出了根据示例实施例的加热元件的电路图；

图4示出了根据示例实施例的加热元件的功耗；

图5示出了不具有加热元件的芯片中的温度差；

图6示出了根据示例实施例的包括加热元件的芯片中的温度差；以及

图7示出了根据示例实施例的示出用于减少CMOS图像传感器中的热暗阴影的方法的流程图。

具体实施方式