[发明专利]太赫兹矩形波导的制备方法、矩形波导及波导器件

权利要求书

1.一种太赫兹矩形波导的制备方法，其特征在于，包括

(1)采用金属辅助化学刻蚀方法在一半导体晶片上形成立方体凹槽；

(2)在刻蚀的凹槽表面沉积第一导电材料；

(3)将沉积有第一导电材料的另一晶片与刻蚀的凹槽中沉积有第一导电材料的半导体晶片进行键合，形成以第一导电材料为波导壁的矩形波导。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)包括：

在半导体晶片上涂覆光刻胶；

光刻出矩形波导对应的矩形图案；

在矩形图案处沉积作为催化剂的第二导电材料；

浸入溶液进行刻蚀到预定深度；

移除第二导电材料，在半导体晶片表面形成立方体凹槽。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第二导电材料为铂、金、银或石墨烯。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述溶液为预定浓度的氧化剂和酸组成。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述溶液为过氧化氢和氢氟酸溶液。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第一导电材料为金属导电材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶片的材料为硅、砷化镓、氧化镓、砷镓铟、磷化铟或砷化铟。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(2)中沉积第一导电材料的方法为磁控溅射。

9.一种矩形波导，其特征在于，所述矩形波导采用如权利要求1～8中任一项所述的方法制备。

10.一种波导器件，其特征在于，包括如权利要求9所述的矩形波导。