[发明专利]赛道存储器及其读写方法、赛道存储装置

权利要求书

1.一种赛道存储器，其特征在于，包括：

磁纳米管，沿第一方向依次延伸为第一写入区、第一存储区、以及第一读取区，包括设置于所述第一存储区的多个第一存储单元，每个第一存储单元用以存储具有不同自旋方向的斯格明子；

第一写入磁隧道结，装置于所述第一写入区，并沿所述磁纳米管的表面设置，用以将存储数据以斯格明子的形式写入至所述多个第一存储单元中，其中，每个被写入所述多个第一存储单元中的斯格明子，具有对应特定的所述多个第一存储单元中的一个位置的校验码；

第一读取磁隧道结，装置于所述第一读取区，并沿所述磁纳米管的表面设置，用以读取写入有斯格明子的第一存储单元中的斯格明子，并根据其自旋方向来得到以不同数字表示的存储数据；以及

记忆体，连接所述第一写入磁隧道结以及所述第一读取磁隧道结，用以暂存通过所述第一读取磁隧道结得到的存储数据，并通过所述第一写入磁隧道结将其以斯格明子的形式再次写入至所述多个第一存储单元中，其中，所述记忆体根据所述校验码将通过所述第一读取磁隧道结得到的存储数据以斯格明子的形式正确地再次写入至所述特定的所述多个第一存储单元中的一个。

2.根据所述权利要求1所述的赛道存储器，其特征在于：所述磁纳米管沿所述第一方向并在所述第一读取区后还依序包括第二存储区和第二写入区，所述第二存储区包括多个第二存储单元，每个第二存储单元用以存储具有不同自旋方向的斯格明子，所述第二写入区装置有第二写入磁隧道结，并沿所述磁纳米管的表面设置，用以将存储数据以斯格明子的形式写入至所述多个第二存储单元中，并且所述第一读取磁隧道结还用以读取写入有斯格明子的第二存储单元中的斯格明子，并根据其自旋方向来得到以不同数字表示的存储数据。

3.根据所述权利要求2所述的赛道存储器，其特征在于：所述记忆体还连接所述第二写入磁隧道结，用以暂存通过所述第一读取磁隧道结得到的存储数据，并通过所述第二写入磁隧道结将其以斯格明子的形式再次写入至所述多个第二存储单元中。

4.根据所述权利要求1所述的赛道存储器，其特征在于：所述磁纳米管沿所述第一方向并在所述第一读取区后还依序包括有第二存储区和第二读取区，所述第二存储区包括多个第二存储单元，每个第二存储单元用以存储具有不同自旋方向的斯格明子，所述第一写入磁隧道结还用以将存储数据以斯格明子的形式写入所述多个第二存储单元中，并且所述第二读取区装置有第二读取磁隧道结，其沿所述磁纳米管的表面设置，用以读取写入有斯格明子的第二存储单元中的斯格明子，并根据其自旋方向来得到以不同数字表示的存储据。

5.根据所述权利要求4所述的赛道存储器，其特征在于：所述记忆体还连接所述第二读取磁隧道结，用以暂存通过所述第二读取磁隧道结得到的存储数据，并通过所述第一写入磁隧道结将其以斯格明子的形式再次写入至所述多个第二存储单元中。

6.根据所述权利要求1所述的赛道存储器，其特征在于：所述记忆体为快取记忆体(cache memory)。

7.根据所述权利要求4或5所述的赛道存储器，其特征在于：每个被写入所述多个第二存储单元中的斯格明子，具有对应特定的所述多个第二存储单元中的一个位置的校验码，所述记忆体根据所述校验码将通过所述第一读取磁隧道结和所述第二读取磁隧道结得到的存储数据以斯格明子的形式正确地再次写入至所述特定的所述多个第二存储单元中的一个。

8.根据所述权利要求3或5所述的赛道存储器，其特征在于：所述多个第一存储单元与所述多个第二存储单元均写入有斯格明子。