[发明专利]激光器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202010820966.5 申请日: 2020-08-14
公开(公告)号: CN114079228A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 蒋成;张子旸 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01S5/32 分类号: H01S5/32;H01S5/20
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 激光器 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种激光器,其特征在于,包括衬底以及依序层叠在所述衬底上的第一反射结构、第一电极、第一透明绝缘层、发光层、第二透明绝缘层,所述第二透明绝缘层的背向所述发光层的表面上设有第二电极和第二反射结构,所述发光层包括沿背向所述第一透明绝缘层的方向依序层叠的第一二维半导体材料层和第二二维半导体材料层;其中,所述第一二维半导体材料层和所述第二二维半导体材料层之间形成PN结,所述第一电极的至少部分与所述第一二维半导体材料层接触,所述第二电极的至少部分与所述第二二维半导体材料层接触,所述第一透明绝缘层和所述第二透明绝缘层由防水防氧材料制成。

2.根据权利要求1所述的激光器,其特征在于,所述发光层的数量为至少两个,所述至少两个发光层叠层夹设于所述第一透明绝缘层与所述第二透明绝缘层之间;其中,所述第一电极的至少部分和与所述第一透明绝缘层相邻的所述第一二维半导体材料层之间相互接触,所述第二电极的至少部分和与所述第二透明绝缘层相邻的所述第二二维半导体材料层之间相互接触。

3.根据权利要求1或2所述的激光器,其特征在于,所述第一电极面向所述第一透明绝缘层的表面上设有第一环状凸起,以形成第一容纳部,所述第一透明绝缘层设于所述第一容纳部内,所述第一环状凸起与所述第一二维半导体材料层接触;所述第二电极面向所述第二透明绝缘层的表面上设有第二环状凸起,以形成第二容纳部,所述第二透明绝缘层设于所述第二容纳部内,所述第二电极上设有第一通孔,所述第一通孔与所述第二容纳部连通,所述第二反射结构嵌设在所述第一通孔内,所述第二环状凸起与所述第二二维半导体材料层接触。

4.根据权利要求3所述的激光器,其特征在于,所述第一反射结构包括多个层叠的第一反射层,每个所述第一反射层包括沿背向所述衬底的方向依序层叠的第一折射层和第二折射层;其中,所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率彼此不同;所述第二反射结构包括多个层叠的第二反射层,每个所述第二反射层包括沿背向所述衬底的方向依序层叠的第三折射层和第四折射层;其中,所述第三折射层的折射率与所述第四折射层的折射率彼此不同。

5.根据权利要求4所述的激光器,其特征在于,所述第一反射层的数量大于所述第二反射层的数量。

6.根据权利要求5所述的激光器,其特征在于,所述第一反射结构和所述第二反射结构均为布拉格反射镜。

7.一种激光器的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:

在衬底上依序形成第一反射结构、第一电极、第一透明绝缘层;

在所述第一透明绝缘层上依序层叠形成第一二维半导体材料层和第二二维半导体材料层以形成发光层,并使所述第一电极的至少部分与所述第一二维半导体材料层进行接触;

在所述发光层上形成第二透明绝缘层;

在所述第二透明绝缘层的背向所述发光层的表面上形成第二电极和第二反射结构,并使所述第二电极的至少部分与所述第二二维半导体材料层进行接触;

其中,所述第一二维半导体材料层和所述第二二维半导体材料层之间形成PN结,所述第一透明绝缘层和所述第二透明绝缘层由防水防氧材料制成。

8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,使所述第一电极的至少部分与所述第一二维半导体材料层进行接触的方法包括:

在所述第一反射结构的背向所述衬底的一侧上形成第一导电层;

在所述第一导电层上形成所述第一透明绝缘层,并暴露所述第一导电层的至少区域;

在所述第一导电层的至少区域上直接形成第二导电层,使所述第一导电层和所述第二导电层构成所述第一电极;

在所述第二导电层和所述第一透明绝缘层上直接形成所述第一二维半导体材料层,使所述第二导电层与所述第一二维半导体材料层进行接触。

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