[发明专利]基板处理方法和基板处理系统

说明书

本发明提供基板处理方法和基板处理系统。适当地进行对基板的湿蚀刻，使基板厚度的面内均匀性提高。基板处理方法用于处理基板，该基板处理方法包括：磨削所述基板的一面的工序；测量所述基板的厚度的工序；对所述一面进行湿蚀刻的工序；以及在将所述基板翻转之后，对该基板的另一面进行湿蚀刻的工序，在所述一面的湿蚀刻过程中，基于所述厚度的测量结果使所述基板的面内厚度一致，在所述另一面的湿蚀刻过程中，使所述基板的厚度减少至目标厚度。

技术领域

本发明涉及基板处理方法和基板处理系统。

背景技术

在专利文献1中公开有对硅单晶铸锭进行切片而得到晶圆的蚀刻方法。在该蚀刻方法中，设有多个蚀刻液供给喷嘴，通过改变供给至晶圆上表面的中央部和外周部的蚀刻液的流量对晶圆面内的蚀刻量进行控制，而谋求高效地使晶圆上表面成为高平坦度。

专利文献1：国际公开2007/088755号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的技术适当地进行对基板的湿蚀刻，使基板厚度的面内均匀性提高。

用于解决问题的方案

本发明的一技术方案是一种基板处理方法，其用于处理基板，该基板处理方法包括：磨削所述基板的一面的工序；测量所述基板的厚度的工序；对所述一面进行湿蚀刻的工序；以及在将所述基板翻转之后，对该基板的另一面进行湿蚀刻的工序，在所述一面的湿蚀刻过程中，基于所述厚度的测量结果使所述基板的面内厚度一致，在所述另一面的湿蚀刻过程中，使所述基板的厚度减少至目标厚度。

发明的效果

根据本发明，能够适当地进行对基板的湿蚀刻，使基板厚度的面内均匀性提高。

附图说明

图1是示意地表示晶圆处理系统的结构的一例的俯视图。

图2是示意地表示晶圆处理系统的结构的一例的侧视图。

图3是示意地表示蚀刻装置的结构的一例的俯视图。

图4是示意地表示蚀刻装置的结构的一例的侧视图。

图5是表示保持构件的结构的一例的侧视图。

图6是表示晶圆处理的主要工序的一例的流程图。

图7是表示晶圆处理的主要工序的一例的说明图。

具体实施方式

在半导体器件的制造工序中，通常进行如下处理：将从铸锭切割、切片而得到的作为基板的晶圆形成器件，对形成的器件晶圆实施各种处理。而且，为了适当地进行对该器件晶圆的处理，进行使晶圆的表面平坦化的处理。晶圆表面的平坦化方法有各种各样，例如如专利文献1所公开的那样，存在对晶圆的上表面供给蚀刻液的方法等。

然而，即使在使晶圆的上表面平坦化了的情况下，也存在晶圆的厚度在面内不均匀的情况、无法适当地进行晶圆处理的情况。在专利文献1中，虽然记载了使从铸锭得到的晶圆的上表面平坦化的内容，但没有记载使厚度的面内均匀性提高的内容，对于该观点有改善的余地。

本发明的技术适当地进行对基板的湿蚀刻，适当地使基板厚度的面内均匀性提高。以下，参照附图对用于使基板厚度的面内均匀性提高的本实施方式的作为基板处理系统的晶圆处理系统和作为基板处理方法的晶圆处理方法进行说明。另外，在本说明书和附图中，对实质上具有同样的功能结构的要素，标注相同的附图标记而省略重复说明。

首先，对本实施方式的晶圆处理系统的结构进行说明。