[发明专利]一种低成本MOSFET模块在审

专利信息
申请号: 202010819803.5 申请日: 2020-08-14
公开(公告)号: CN111900151A 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 李亮亮;潘波;许俊;杨尧 申请(专利权)人: 成都赛力康电气有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L29/78;H01L23/498;H01L23/367
代理公司: 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 代理人: 李林合
地址: 610200 四川省成都市中国(四川)自由*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 低成本 mosfet 模块
【说明书】:

发明公开了一种低成本MOSFET模块,包括MOSFET晶片、MOSFET基板和绑定线;MOSFET晶片通过绑定线和MOSFET基板固定连接,且MOSFET晶片和MOSFET基板通信连接。本发明的晶圆的一致性好,封装的模块电气特性好,且具有产品开发周期短,开发成本低和开发灵活的优势。体积小,杂散电感低,成本低,节省大部分的封装成本,如模具、MOSFET框架和塑封料等。热阻低,晶片直接贴于基板上,减少框架等中间层。多场景且灵活的应用场合,可根据需求来进行不同的布局。且无需开模,开发周期短。

技术领域

本发明属于电力电子技术领域,具体涉及一种低成本MOSFET模块。

背景技术

MOSFET在电机控制器应用中常采用多颗单管并联的或者是MOSFET模块的方案以获得更大的功率输出。单管并联方案,即使用多颗的单管MOSFET并联来提高设计产品的过流能力。不同的单管由于可能是不同的批次,造成电气特性出现差异,在并联使用中会增加MOSFET器件的失效率;同时增加产品开发难度和成本以及产品的开发周期;增加产品的生产成本以及生产周期。单管并联方案虽然成本较低,但是单管并联方案存在热阻高、由于单管特性不一致而导致的电气特性较差和安装工序多等缺陷。这些缺陷常常使用MOSFET模块来解决,但是MOSFET模块的成本又比较高。MOSFET模块化方案,即将多颗MOSFET的晶圆并联封装至一起,将相同电气特性的引脚引出,以提高产品的过电流能力以及降低应用开发的难度。MOSFET模块的开发需要开通模具,在初期开发时会造成产品开发周期长,开发成本高。MOSFET模块一经定型无法更改,灵活性差;如若有新的需求,需要重新开发。在这种背景下提出了一种新型低成本的MOSFET模块解决方案,既能解决单管并联热阻高、工序多和电气特性较差等问题,又能拥有MOSFET模块的优势。

发明内容

本发明的目的是为了解决MOSFET在大电流场景应用的问题,提出了一种低成本MOSFET模块。

本发明的技术方案是:一种低成本MOSFET模块包括MOSFET晶片、MOSFET基板和绑定线;

MOSFET晶片通过绑定线和MOSFET基板固定连接,且MOSFET晶片和MOSFET基板通信连接。

进一步地,MOSFET晶片包括第一上桥晶片、第二上桥晶片、第一下桥晶片和第二下桥晶片;

第一上桥晶片、第二上桥晶片、第一下桥晶片和第二下桥晶片的结构相同,均包括MOSFET漏极、MOSFET源极和MOSFET门极;第一上桥晶片和第二上桥晶片形成MOSFET模块的上桥臂;第一下桥晶片和第二下桥晶片形成MOSFET模块的下桥臂。

进一步地,MOSFET基板包括从上至下依次固定连接的导电材料层、绝缘绝热材料层和散热材料层;

导电材料层和绝缘绝热材料层之间以及绝缘绝热材料层和散热材料层之间均通过粘接的方式固定连接。

进一步地,导电材料层包括依次设置的母线正极端、上桥门极控制信号端、相线信号输出端、下桥源极控制信号输出端、下桥门极控制信号端、相线功率输出端和母线负极端。

进一步地,第一上桥晶片的MOSFET漏极和第二上桥晶片的MOSFET漏极均通过焊接的方式与母线正极端固定连接,且第一上桥晶片和第二上桥晶片均与母线正极端通信连接;第一下桥晶片的MOSFET漏极和第二下桥晶片的MOSFET漏极均通过焊接的方式与相线功率输出端固定连接,且第一下桥晶片和第二下桥晶片均与相线功率输出端通信连接。

进一步地,第一上桥晶片的MOSFET源极和第二上桥晶片的MOSFET源极均通过绑定线与相线信号输出端和相线功率输出端通信连接;第一下桥晶片的MOSFET源极和第二下桥晶片的MOSFET源极均通过绑定线与母线负极端通信连接。

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