[发明专利]用于增加图像传感器中的PSRR补偿范围的方法和系统在审

专利信息
申请号: 202010819372.2 申请日: 2020-08-14
公开(公告)号: CN112399101A 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: 桑迪普·桑托什·库马尔;马都苏丹·戈文达拉扬;普希皮塔·杜塔 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H04N5/357 分类号: H04N5/357
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 增加 图像传感器 中的 psrr 补偿 范围 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种用于补偿图像传感器中的电源抑制比PSRR的方法,所述方法包括:

由处理电路从有源像素传感器APS阵列接收至少一个模拟信号,所述至少一个模拟信号包括电源噪声;

由所述处理电路将经放大的电源噪声与至少一个斜坡信号进行组合,以获得经组合的电源噪声;以及

由所述处理电路通过使用所述经组合的电源噪声消除所述至少一个模拟信号的电源噪声,来补偿所述APS阵列的PSRR。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述APS阵列包括以多行和多列布置的多个像素,用于响应于吸收的光能而生成所述至少一个模拟信号。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,

接收所述至少一个模拟信号包括:从所述APS阵列的至少一列中读取所述至少一个模拟信号,所述APS阵列包括多个像素,所述电源噪声降低所述APS阵列的PSRR;以及

所述方法还包括:

接收所述至少一个斜坡信号,以及

使用缓冲晶体管缓冲所述至少一个斜坡信号。

4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述至少一个斜坡信号包括单斜率斜坡信号或多斜率斜坡信号。

5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述缓冲晶体管包括第一P型金属氧化物半导体PMOS晶体管和第二PMOS晶体管。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述组合包括:

生成与所述至少一个模拟信号的电源噪声相匹配的所生成的电源噪声;

通过放大所述所生成的电源噪声来生成所述经放大的电源噪声;以及

通过使用至少一个电容器和电流镜将所述经放大的电源噪声引入到在缓冲晶体管中缓冲的所述至少一个斜坡信号中,来将所述经放大的电源噪声与所述至少一个斜坡信号进行组合。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,放大所述所生成的电源噪声是使用放大器放大所述所生成的电源噪声,所述放大器包括:

第一级,包括被配置为生成所述经放大的电源噪声的共源放大器;以及

第二级,包括具有前馈路径的源极跟随器,所述前馈路径被配置为在频率范围内无相位延迟地将所述经放大的电源噪声转发给所述至少一个电容器。

8.根据权利要求6所述的方法,其中,所述电流镜包括与所述至少一个电容器连接的第一N型金属氧化物半导体NMOS晶体管Mn1晶体管和第三PMOS晶体管Mp1晶体管。

9.根据权利要求8所述的方法,还包括:

由所述Mn1晶体管从所述至少一个电容器接收所述经放大的电源噪声;

由所述Mn1晶体管将所述经放大的电源噪声连同偏置电压一起提供给所述Mp1晶体管;以及

由所述Mp1晶体管将所述经放大的电源噪声连同所述偏置电压一起提供给所述缓冲晶体管。

10.根据权利要求1所述的方法,其中,消除所述至少一个模拟信号的电源噪声包括:

使用所述经组合的电源噪声的幅度减去所述至少一个模拟信号的电源噪声的幅度。

11.根据权利要求1所述的方法,还包括:

由所述处理电路通过在频率范围内使所述经组合的电源噪声的相位延迟与所述至少一个模拟信号的电源噪声的相位延迟相匹配,来补偿所述APS阵列的PSRR。

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