[发明专利]具有磁场屏蔽结构的系统有效

专利信息
申请号: 202010819365.2 申请日: 2020-08-14
公开(公告)号: CN112393748B 公开(公告)日: 2023-10-17
发明(设计)人: 斯特凡·马劳斯卡;托马斯·海恩;贝坎·佐卢巴斯;贝恩德·奥弗曼;丹尼斯·赫尔姆博尔特 申请(专利权)人: 恩智浦有限公司
主分类号: G01D5/245 分类号: G01D5/245;G01D3/036;G01B7/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 孙尚白
地址: 荷兰埃*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 磁场 屏蔽 结构 系统
【权利要求书】:

1.一种系统,其特征在于,包括:

编码器磁体,所述编码器磁体被构造成围绕旋转轴旋转,其中所述编码器磁体被构造成产生测量磁场;

磁场传感器,所述磁场传感器远离所述编码器磁体轴向位移,所述磁场传感器被构造成检测所述测量磁场;以及

屏蔽结构,所述屏蔽结构至少部分地包围所述编码器磁体和/或所述磁场传感器,以屏蔽杂散磁场。

2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,另外包括次级结构,所述屏蔽结构被构造成附接到次级结构。

3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述编码器磁体和所述屏蔽结构通过所述次级结构机械地耦合,使得所述编码器磁体和所述屏蔽结构共同旋转。

4.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述磁场传感器和所述屏蔽结构通过所述次级结构机械地耦合,使得所述磁场传感器和所述屏蔽结构相对于所述编码器磁体不旋转。

5.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,所述屏蔽结构包括:

第一部分,所述第一部分通过所述次级结构机械地耦合到所述编码器磁体,使得所述编码器磁体和所述屏蔽结构的所述第一部分共同旋转;以及

第二部分,所述第二部分远离所述第一部分安置,所述第二部分与所述第一部分分离,使得所述第二部分相对于所述第一部分不旋转。

6.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述屏蔽结构包括连续侧壁,所述连续侧壁具有由所述连续侧壁限界的中心区,其中所述编码器磁体和所述磁场传感器位于所述中心区内并且被所述连续侧壁包围。

7.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述连续侧壁具有第一边缘和第二边缘,并且所述屏蔽结构另外包括耦合到所述连续侧壁的所述第二边缘的板区段。

8.根据权利要求6所述的系统,其特征在于,所述连续侧壁具有第一边缘和第二边缘,并且所述连续侧壁从所述第一边缘处的第一直径逐渐减小到所述第二边缘处的第二直径,所述第二直径小于所述第一直径。

9.一种系统,其特征在于,包括:

编码器磁体,所述编码器磁体被构造成围绕旋转轴旋转,其中所述编码器磁体被构造成产生测量磁场;

磁场传感器,所述磁场传感器远离所述编码器磁体轴向位移,所述磁场传感器被构造成检测所述测量磁场;

屏蔽结构,所述屏蔽结构用于屏蔽杂散磁场,所述屏蔽结构包括连续侧壁,所述连续侧壁具有由所述连续侧壁限界的中心区,其中所述编码器磁体和所述磁场传感器位于所述中心区内并且至少部分地被所述连续侧壁包围;以及

次级结构,所述屏蔽结构被构造成附接到所述次级结构。

10.一种组件,其特征在于,包括:

编码器磁体,所述编码器磁体被构造成围绕旋转轴旋转,其中所述编码器磁体被构造成产生测量磁场;

磁场传感器,所述磁场传感器远离所述编码器轴向位移,所述磁场传感器被构造成检测所述测量磁场;

屏蔽结构,所述屏蔽结构用于屏蔽杂散磁场,所述屏蔽结构包括连续侧壁,所述连续侧壁具有第一边缘、第二边缘和由所述连续侧壁限界的中心区,其中所述编码器磁体和所述磁场传感器位于所述中心区内并且至少部分地被所述连续侧壁包围;以及

盖元件,所述盖元件具有凸起的中心区域,所述第二边缘比所述第一边缘更靠近所述盖元件,其中所述凸起的中心区域被所述屏蔽结构的所述连续侧壁包围,并且所述磁场传感器被构造成附接到所述凸起的中心区域。

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