[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)提供第一支撑衬底；

2)在所述第一支撑衬底上放置第一芯片，并覆盖第一封装层；

3)将带有所述第一芯片的所述第一封装层从所述第一支撑衬底取下，并将所述第一封装层中远离所述第一芯片的一面固定于第二支撑衬底上；

4)在所述第一封装层中靠近所述第一芯片的一面上覆盖第二封装层；

5)在所述第二封装层上形成电性连接所述第一芯片的重新布线层；

6)在所述重新布线层上电性连接第二芯片。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：在步骤2)之前，还包括在所述第一支撑衬底上涂布释放层的步骤，所述第一芯片通过所述释放层粘附于所述第一支撑衬底；在步骤3)中，将带有所述第一芯片的所述第一封装层从所述第一支撑衬底取下时，通过剥离所述释放层使所述第一支撑衬底与所述第一封装层分离。

3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：在步骤5)之前，还包括将带有所述第一芯片的所述第一封装层和所述第二封装层从所述第二支撑衬底上取下的步骤。

4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：在步骤5)之前，还包括对所述第二封装层进行减薄，并形成连通所述第一芯片的通孔的步骤。

5.根据权利要求4所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：形成所述通孔的方法包括激光钻孔工艺。

6.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：所述重新布线层包括至少一层金属布线层和包裹所述金属布线层的电介质层。

7.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：在所述重新布线层上还形成有焊球。

8.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制备方法，其特征在于：在所述重新布线层和所述第二芯片之间还形成有填充层。

9.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，包括：

第一封装层；

固定于所述第一封装层表面的第一芯片；

覆盖所述第一芯片和所述第一封装层的第二封装层；

位于所述第二封装层上方的重新布线层，所述重新布线层电性连接所述第一芯片；

位于所述重新布线层上方的第二芯片，所述第二芯片电性连接所述重新布线层。

10.根据权利要求9所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述第二封装层中还形成有连接所述重新布线层和所述第一芯片的通孔。

11.根据权利要求9所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括至少一层金属布线层和包裹所述金属布线层的电介质层。

12.根据权利要求9所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：在所述重新布线层上还形成有焊球。

13.根据权利要求9所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：在所述重新布线层和所述第二芯片之间还形成有填充层。