[发明专利]一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器

权利要求书

1.一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，该传感器包括硅栅极(1)、二氧化硅层(2)、多个插指电极区域和多个抗生素检测探针；

所述的二氧化硅层(2)位于硅栅极(1)上方，所述的插指电极区域位于二氧化硅层(2)上方，所述的抗生素检测探针位于插指电极区域上方，所述的抗生素检测探针与插指电极区域之间设有二硫化钼层(5)，作为半导体导电沟道，所述的硅栅极(1)和插指电极区域与检测响应信号的半导体分析仪电连接。

2.根据权利要求1所述的一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，所述的插指电极区域包括插指形态分布的源极(3)和/或漏极(4)，相邻的源极(3)和漏极(4)组成一组电极对，插指电极宽l为2μm，相邻插指电极距离d为1.5μm。

3.根据权利要求1所述的一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，所述的二硫化钼层(5)通过层状二硫化钼水相分散液滴涂在插指电极区域干燥后得到。

4.根据权利要求3所述的一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，所述的层状二硫化钼水相分散液的浓度为0.05mg/mL，干燥过程采用暖灯照射。

5.根据权利要求1所述的一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，所述的抗生素检测探针包括探针连接体纳米金层(6)、适配体DNA链(7)和互补DNA链(8)，所述的探针连接体纳米金层(6)位于二硫化钼层(5)上方，所述的探针连接体纳米金层(6)修饰有以碱基互补配对作用形成双链DNA复合结构，该复合结构包括适配体DNA链(7)和互补DNA链(8)。

6.根据权利要求5所述的一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，所述的探针连接体纳米金层(6)通过溅射镀膜形成，溅射镀膜的时长控制在2s内。

7.根据权利要求5所述的一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，所述的适配体DNA链(7)的核苷酸序列为5’-TGG GGG TTG AGG CTA AGC CGA-3’，所述的互补DNA链(8)的核苷酸序列为5’-TCG GCT CCC CCA-3’。

8.根据权利要求7所述的一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，所述的适配体DNA链(7)的DNA链的5’端修饰有巯基。

9.根据权利要求5所述的一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，所述的抗生素检测探针通过以下方法制得：将适配体DNA溶液在插指电极区域孵化12h至适配体DNA链(7)通过金硫键成功修饰在探针连接体纳米金层(6)表面，再将互补DNA链溶液在相同区域继续孵化12h至适配体DNA链(7)和互补DNA链(8)上的氢键通过碱基互补配对作用形成复合结构双链DNA，最终形成抗生素检测探针。

10.根据权利要求9所述的一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，所述的适配体DNA溶液和互补链DNA溶液为含有三(2-羧乙基)膦(TCEP)二硫键活化剂的PBS缓冲溶液，浓度均为100μM。