[发明专利]具有中点电压跟踪功能的全桥逆变电路栅极驱动电路在审
| 申请号： | 202010817838.5 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112104205A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 朱耀麟;武桐;陈鑫;孟超;胡向东;李子龙 | 申请（专利权）人： | 西安工程大学;绍兴市柯桥区西纺纺织产业创新研究院 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H02M1/088;H02M7/5387 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 韩玙 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 中点 电压 跟踪 功能 全桥逆变 电路 栅极 驱动 | ||
本发明公开了一种具有中点电压跟踪功能的全桥逆变电路栅极驱动电路，包括由H桥高边功率管VT1和H桥高边功率管VT2构成的H桥高边电路，H桥高边功率管VT1和H桥高边功率管VT2与电源连接，H桥高边功率管VT1还通过连接H桥中点M1后与H桥低边功率管VT3连接，H桥高边功率管VT2还通过连接H桥中点M2后与H桥低边功率管VT4连接，H桥低边功率管VT3和H桥低边功率管VT4构成H桥低边电路，H桥低边功率管VT3和H桥低边功率管VT4同时与公共地连接，H桥中点M1和H桥中点M2之间连接有负载，本发明解决了现有技术中存在的H桥高边功率栅极与源极之间的栅源电压不能保持恒定，导致当开关管处于饱和导通状态时，栅源电压的变化对漏源电流的大小造成影响的问题。
技术领域
本发明属于全桥逆变电路技术领域，具体涉及一种具有中点电压跟踪功能的全桥逆变电路栅极驱动电路。
背景技术
目前，针对构成低压(供电电压低于50V)全桥逆变电路(又称H桥逆变电路，简称H桥)的功率MOSFET(又称功率管)，其栅极驱动电路大都采用自举电路来达到对H桥高边栅极进行浮动电压驱动的目的。自举电路是靠其自举电容的充放电过程来实现电压浮动的。由于电容的充放电过程是非线性的，因此H桥高边功率MOSFET栅极与源极之间的栅源电压不能保持恒定，根据功率MOSFET的静态输出特性可知，这会导致当开关管处于饱和导通状态时，其漏源电流不能保持恒定，从而使栅源电压的变化对漏源电流的大小造成影响。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有中点电压跟踪功能的全桥逆变电路栅极驱动电路，解决了现有技术中存在的H桥高边功率MOSFET栅极与源极之间的栅源电压不能保持恒定，导致当开关管处于饱和导通状态时，其漏源电流不能保持恒定，从而使栅源电压的变化对漏源电流的大小造成影响的问题。
本发明所采用的技术方案是，一种具有中点电压跟踪功能的全桥逆变电路栅极驱动电路，包括由H桥高边功率管VT1和H桥高边功率管VT2构成的H桥高边电路，H桥高边功率管VT1和H桥高边功率管VT2与电源连接，H桥高边功率管VT1还通过连接H桥中点M1后与H桥低边功率管VT3连接，H桥高边功率管VT2还通过连接H桥中点M2后与H桥低边功率管VT4连接，H桥低边功率管VT3和H桥低边功率管VT4构成H桥低边电路，H桥低边功率管VT3和H桥低边功率管VT4同时共同与公共地连接，H桥中点M1和H桥中点M2之间连接有负载。
本发明的特点还在于，
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安工程大学;绍兴市柯桥区西纺纺织产业创新研究院，未经西安工程大学;绍兴市柯桥区西纺纺织产业创新研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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