[发明专利]高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种蚀刻液，其特征在于，按质量份数计，其由下述组分组成：1.00-9.50份的如式A所示的化合物、76.92-84.15份的磷酸和13.58-14.85份的水；

2.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，

所述的水为去离子水、蒸馏水、纯水和超纯水中的一种或多种；

和/或，所述的蚀刻液为用于蚀刻氧化硅和/或氮化硅的蚀刻液。

3.如权利要求2所述的蚀刻液，其特征在于，

所述的蚀刻液为用于蚀刻氮化硅的蚀刻液；

和/或，所述的蚀刻液为用于蚀刻氧化硅和/或氮化硅的蚀刻液，所述的氧化硅和/或氮化硅为在图案化的硅半导体晶片上形成的氧化硅膜和/或氮化硅膜；

和/或，所述的蚀刻液为用于蚀刻氧化硅和/或氮化硅的蚀刻液，所述的氧化硅和/或氮化硅为层叠结构，所述的层叠结构的层数为20-200层。

4.如权利要求3所述的蚀刻液，其特征在于，

按质量份数计，所述的如式A所示的化合物的含量为1.00份、4.50份、9.50份；

和/或，按质量份数计，所述的磷酸的含量为76.92份、81.17份、84.15份；

和/或，所述的磷酸和所述的如式A所示的化合物的质量比为8.10:1、18.04:1、84.15:1；

和/或，按质量份数计，所述的水的含量为13.58份、14.33份、14.85份；

和/或，所述的蚀刻液为用于蚀刻氧化硅和/或氮化硅的蚀刻液，所述的氧化硅和/或氮化硅为在图案化的硅半导体晶片上形成的氧化硅膜和/或氮化硅膜；所述的氧化硅膜和/或氮化硅膜的厚度为

5.如权利要求4所述的蚀刻液，其特征在于，

按质量份数计，所述的如式A所示的化合物的含量为4.50份；

和/或，按质量份数计，所述的磷酸的含量为81.17份；

和/或，所述的磷酸和所述的如式A所示的化合物的质量比为18.04:1；

和/或，按质量份数计，所述的水的含量为14.33份。

6.如权利要求1-5中任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述的蚀刻液为以下任一方案：

方案1：

所述的蚀刻液由下述组分组成：1.00％-9.50％的如式A所示的化合物、76.92％-84.15％的磷酸和余量的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；

方案2：

所述的蚀刻液由下述组分组成：1.00％的如式A所示的化合物、84.15％的磷酸和14.85％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；

方案3：

所述的蚀刻液由下述组分组成：4.50％的如式A所示的化合物、81.17％的磷酸和14.33％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比；

方案4：

所述的蚀刻液由下述组分组成：9.50％的如式A所示的化合物、76.92％的磷酸和13.58％的水，其中，百分比为各组分的质量占所述的蚀刻液的质量的百分比。

7.一种如权利要求1-6中任一项所述的蚀刻液在蚀刻氧化硅和/或氮化硅中的应用。

8.如权利要求7所述的蚀刻液在蚀刻氧化硅和/或氮化硅中的应用，其特征在于，

所述的蚀刻液用于蚀刻氮化硅；

和/或，所述的氧化硅和/或氮化硅应用于半导体材料中；

和/或，所述的氧化硅和/或氮化硅为氧化硅膜和/或氮化硅膜，所述的氧化硅膜和/或氮化硅膜的厚度为

和/或，所述的氧化硅和/或氮化硅为层叠结构，所述的层叠结构的所述的层叠结构的层数为20-200层；

和/或，所述的蚀刻的温度为150-165℃；

和/或，所述的蚀刻的时间为500-6500秒；

和/或，所述的蚀刻包括以下步骤：将所述的氧化硅和/或氮化硅在150-165℃蚀刻500-6500秒后，将氧化硅和/或氮化硅取出，清洗，干燥，用TEM切片观察氧化硅和/或氮化硅的蚀刻情况。