[发明专利]CIS的微透镜的形成方法

权利要求书

1.一种CIS的微透镜的形成方法，其特征在于，所述方法应用于所述CIS的制作过程中，所述方法包括：

在第一介质层上的目标区域覆盖光阻，所述第一介质层形成于所述CIS的像素单元层上，所述第一介质层中形成有金属连线，所述目标区域是所述像素单元层中的像素单元上方的区域；

进行刻蚀，刻蚀至其它区域的第一介质层中的目标深度，所述目标区域的第一介质层形成前置微透镜，所述其它区域是所述第一介质层上除所述目标区域以外的其它区域；

去除剩余的光阻；

在所述第一介质层上形成第二介质层，所述前置微透镜上方的第二介质层形成所述微透镜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前置透镜的截面为梯形，所述梯形的上底为，下底为。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度为8000埃至15000埃。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二介质层包括氧化层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一介质层上形成第二介质层，包括：

通过CVD工艺在所述第一介质层上沉积二氧化硅形成所述第二介质层。

6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述第一介质层包括氧化层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在第一介质层的目标区域覆盖光阻之前，在所述像素单元层上形成所述金属连线后，还包括：

依次通过HDP工艺和TEOS工艺在所述像素单元层上沉积二氧化硅形成所述第一介质层；

通过平坦化工艺对所述第一介质层进行平坦化。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述第一介质层上形成第二介质层之后，还包括：

在所述第二介质层上形成硬掩模层；

通过光刻工艺对所述目标区域的硬掩模层进行减薄。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层包括氮化硅层。