[发明专利]存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，所述存储器件包括：

衬底；

第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括交替地堆叠在所述衬底上的多个第一栅极层和多个第一层间绝缘层；

第二堆叠结构，所述第二堆叠结构包括交替地堆叠在所述第一堆叠结构上的多个第二栅极层和多个第二层间绝缘层；以及

沟道结构，所述沟道结构穿过所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构，

其中，所述沟道结构包括位于穿过所述第一堆叠结构的第一沟道孔中的第一部分、位于穿过所述第二堆叠结构的第二沟道孔中的第二部分以及位于第一凹部中的第一突出部，所述第一凹部从所述第一沟道孔的侧部凹进到所述多个第一层间绝缘层中的一层中。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个第一层间绝缘层中的所述一层是所述多个第一层间绝缘层中的最上层。

3.根据权利要求1所述的存储器件，

其中，所述沟道结构包括位于所述第一沟道孔、所述第一凹部和所述第二沟道孔中的栅极绝缘层以及位于所述栅极绝缘层上的沟道层，并且

其中，所述沟道层位于所述第一凹部的外部。

4.根据权利要求3所述的存储器件，

其中，所述栅极绝缘层的第一部分位于所述第一凹部的内部，并且

其中，所述栅极绝缘层的第二部分位于所述第一凹部的外部。

5.根据权利要求4所述的存储器件，

其中，所述栅极绝缘层包括位于所述第一沟道孔、所述第一凹部和所述第二沟道孔中的阻挡绝缘层、位于所述阻挡绝缘层上的电荷存储层以及位于所述电荷存储层上的隧穿绝缘层，

其中，所述阻挡绝缘层的第一部分位于所述第一凹部的内部，

其中，所述阻挡绝缘层的第二部分位于所述第一凹部的外部，并且

其中，所述隧穿绝缘层完全位于所述第一凹部的外部。

6.根据权利要求5所述的存储器件，

其中，所述电荷存储层的第一部分位于所述第一凹部的内部，并且

其中，所述电荷存储层的第二部分位于所述第一凹部的外部。

7.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述电荷存储层完全位于所述第一凹部的外部。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述沟道结构的所述第二部分与所述沟道结构的所述第一部分和所述第一突出部接触。

9.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个第一层间绝缘层中的最上层在垂直方向上的垂直厚度基本上等于所述多个第一层间绝缘层中的次高层在所述垂直方向上的垂直厚度。

10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述沟道结构还包括位于第二凹部中的第二突出部，所述第二凹部从所述第一沟道孔的所述侧部凹进到所述多个第一层间绝缘层中的另一层中。

11.根据权利要求10所述的存储器件，

其中，所述多个第一层间绝缘层中的所述另一层是所述多个第一层间绝缘层中的次高层，并且

其中，所述多个第一栅极层中的虚设栅极层位于所述多个第一层间绝缘层中的所述一层与所述多个第一层间绝缘层中的所述另一层之间。

12.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述沟道结构的所述第二部分与所述沟道结构的所述第一部分、所述第一突出部和所述第二突出部接触。