[发明专利]一种用于半导体激光器封装的过渡热沉结构及其使用方法

权利要求书

1.一种用于半导体激光器封装的过渡热沉结构，包括热沉衬底(1)，其特征在于：所述热沉衬底(1)上表面开设有凹槽(2)，所述热沉衬底(1)上表面边缘开设有缺口(3)，所述热沉衬底(1)上侧焊接有LD芯片(4)，所述LD芯片(4)和热沉衬底(1)平行，所述LD芯片(4)和热沉衬底(1)之间设置有焊料层(5)，所述焊料层(5)为矩形结构，所述LD芯片(4)的光源发射口位于缺口(3)的上方。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体激光器封装的过渡热沉结构，其特征在于：所述缺口(3)设置为圆弧倒角，且圆弧倒角的半径在4mm-30mm之间。

3.根据权利要求1所述的一种用于半导体激光器封装的过渡热沉结构，其特征在于：所述缺口(3)设置为平倒角，且所述缺口(2)为45°倒角。

4.根据权利要求1所述的一种用于半导体激光器封装的过渡热沉结构，其特征在于：所述缺口(3)设置为矩形槽口。

5.根据权利要求1所述的一种用于半导体激光器封装的过渡热沉结构，其特征在于：所述缺口(3)设置为圆弧槽口。

6.根据权利要求1所述的一种用于半导体激光器封装的过渡热沉结构，其特征在于：所述热沉衬底(1)的厚度为2-10mm，所述热沉衬底(1)的材料采用氮化铝或碳化硅。

7.根据权利要求1所述的一种用于半导体激光器封装的过渡热沉结构，其特征在于：所述凹槽(2)设置为矩形凹槽，所述焊料层(5)设置有两组，却两组焊料层(5)设置于凹槽(2)两侧。

8.根据权利要求1所述的一种用于半导体激光器封装的过渡热沉结构，其特征在于：所述凹槽(2)为梯形凹槽，所述焊料层(5)设置有两组，却两组焊料层(5)设置于凹槽(2)两侧。

9.根据权利要求1所述的一种用于半导体激光器封装的过渡热沉结构，其特征在于：所述凹槽(2)为圆弧形凹槽，所述焊料层(5)设置有两组，却两组焊料层(5)设置于凹槽(2)两侧。

10.一种用于半导体激光器封装的过渡热沉结构的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在热沉衬底边缘开设缺口，将LD芯片焊接在热沉衬底的上表面，焊接时，保持LD芯片和热沉衬底平行，将LD芯片的光源发射口设置在缺口的上方；

S2、在LD芯片正常工作时，由于此种新型缺口结构的设计，不会存在热沉衬底遮挡器件发光的现象，有效解决了缩进效应，且具有较高的一致性，同时也为后续光束整形等操作带来便利；LD芯片在发射激光时，缺口处不易挡光或反射光，通过设置缺口可有效避免过渡热沉底部遮挡LD芯片有源发光区的现象，降低人为操作以及机械精度带来的不可控的误差，便于将LD芯片贴合在热沉衬底上，且易于加工及大批量生产，可大幅度提升半导体激光器件的稳定性与可靠性。