[发明专利]一种嚏根草培养基及其使用方法

权利要求书

1.一种嚏根草培养基，其特征在于，包括无机盐混合物、碳水化合物、肌醇、维生素类化合物、氨基酸化合物、琼脂、6-苄氨基嘌呤以及吲哚丁酸。

2.根据权利要求1所述的嚏根草培养基，其特征在于，所述无机盐混合物包括：

NH₄N0₃ 250mg/L；

KNO₃ 1200 mg/L；

Ca(NO₃)₂·4H₂O 1000 mg/L；

MgSO₄·7H₂O 300 mg/L；

KH₂PO₄ 450 mg/L；

MnSO₄·H₂O 16.9 mg/L；

ZnSO₄·7H₂O 8.6 mg/L；

KI 0.83 mg/L；

H₃BO₃ 6.2 mg/L；

Na₂MoO·2H₂O 0.25 mg/L；

CuSO₄·5H₂O 0.025 mg/L；

CoCl₂·6H₂O 0.025 mg/L；以及

NaFe-EDTA 37.5 mg/L。

3.根据权利要求1所述的嚏根草培养基，其特征在于，

所述碳水化合物 20 g/L；

所述肌醇 100 mg/L；

所述维生素类化合物 1.1 mg/L；

所述氨基酸化合物 2.0 mg/L；

所述琼脂 4.0 g/L；

所述6-苄氨基嘌呤 2.0 mg/L；

所述吲哚丁酸 0.2 mg/L。

4.根据权利要求1所述的嚏根草培养基，其特征在于，所述碳水化合物包括蔗糖、葡萄糖、果糖、麦芽糖、半乳糖、甘露糖、乳糖中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的嚏根草培养基，其特征在于，所述碳水化合物包括白砂糖或绵白糖。

6.根据权利要求1所述的嚏根草培养基，其特征在于，所述维生素类化合物包括盐酸硫胺素、盐酸吡哆醇、烟酸、抗坏血酸、生物素、叶酸、核黄素中的一种或几种。

7.根据权利要求3所述的嚏根草培养基，其特征在于，所述维生素类化合物包括盐酸硫胺素、盐酸吡哆醇、烟酸；其中所述盐酸吡哆醇 0.5 mg/L，所述盐酸硫胺素 0.1 mg/L，所述烟酸 0.5 mg/L。

8.根据权利要求1所述的嚏根草培养基，其特征在于，所述氨基酸化合物包括甘氨酸、精氨酸、谷氨酸、谷酰胺、天冬氨酸、天冬酰胺、丙氨酸中的一种或几种。

9.根据权利要求1所述的嚏根草培养基，其特征在于，所述嚏根草培养基的pH值范围为6.5-7.0。

10.一种嚏根草培养基的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：

嚏根草培养基配制步骤，在一容器内加入无机盐混合物、碳水化合物、肌醇、维生素类化合物、氨基酸化合物、琼脂、6-苄氨基嘌呤以及吲哚丁酸后调节pH值范围为6.5-7.0形成嚏根草培养基；

培养环境设置步骤，将所述嚏根草培养基放置于光照强度范围为2000-2500lux，温度范围为12-16℃的培养环境中；以及

栽培嚏根草步骤，将嚏根草栽培于所述嚏根草培养基中，并维持光照强度范围为2000-2500lux，温度范围为12-16℃，pH值范围为6.5-7.0的培养环境。