[发明专利]一种半导体激光器有效
| 申请号: | 202010807968.0 | 申请日: | 2020-08-12 |
| 公开(公告)号: | CN112072459B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
| 发明(设计)人: | 向欣 | 申请(专利权)人: | 武汉云岭光电有限公司 |
| 主分类号: | H01S5/02257 | 分类号: | H01S5/02257;H01S5/10 |
| 代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 胡建文 |
| 地址: | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体激光器 | ||
1.一种半导体激光器,其特征在于:包括两个出光通道、第一谐振腔、第二谐振腔、第一谐振腔电流注入区以及第二谐振腔电流注入区,所述第一谐振腔和所述第二谐振均具有两个输出端,且所述第一谐振腔和所述第二谐振腔位于同一侧的输出端均汇聚至同一个所述出光通道;所述第一谐振腔电流注入区注入的电流由所述第一谐振腔产生激光,所述第二谐振腔电流注入区注入的电流由所述第二谐振腔产生激光,每一所述激光在其产生的谐振腔中朝两个所述输出端的方向激射,并从该输出端处汇聚的出光通道射出;所述第一谐振腔和所述第二谐振腔均为可独立工作的谐振腔,在某一谐振腔出现异常时,不会影响到另外的谐振腔运作;所述第一谐振腔和所述第二谐振腔也可以互相共用;配合可调的第一谐振腔电流注入区时,控制第一谐振腔的光子密度,配合可调的第二谐振腔电流注入区时,控制第二谐振腔的光子密度,以达到功率和速率可调的目的;
谐振腔的工作状况包括以下三种情况:
a、只使用第一谐振腔,此时第一谐振腔的有效长度最短,出光功率最小,光子在谐振腔内寿命最短,速率高;
b、只使用第二谐振腔,此时第二谐振腔的有效长度最短,出光功率最小,光子在谐振腔内寿命最短,速率高;
c、同时使用第一谐振腔和第二谐振腔,此时谐振腔的有效长度最长,出光功率可以实现最大,光子在谐振腔内的寿命最长,光子密度可以通过第一谐振腔电流注入区和第二谐振腔电流注入区进行调节。
2.如权利要求1所述的一种半导体激光器,其特征在于:其中一个所述谐振腔的两端分别与另外一个所述谐振腔的两端连通,两个所述谐振腔以两个连接端之间的连线为对称轴对称设置,两个所述谐振腔构成环形结构,每一所述谐振腔电流注入区为与其对应的所述谐振腔注入电流。
3.如权利要求2所述的一种半导体激光器,其特征在于:每一所述谐振腔均包括入射段和分别与所述入射段的两端连通的两个反射段,两个所述反射段分别设在两个输出端处,每一所述谐振腔电流注入区注入的电流进入所述入射段,产生的激光向两个所述反射段传输,并经过两个反射段反射至两个所述出光通道。
4.如权利要求3所述的一种半导体激光器,其特征在于:每一所述反射段与所述入射段之间的夹角为45°。
5.如权利要求3所述的一种半导体激光器,其特征在于:两个所述入射段之间的间距为20μm。
6.如权利要求1所述的一种半导体激光器,其特征在于:每一所述出光通道均包括出光波导区,所述出光波导区与同一侧的各所述输出端连通。
7.如权利要求1所述的一种半导体激光器,其特征在于:每一所述出光通道均包括出光腔面,所述出光腔面为所述谐振腔的端面,激光由该端面射出谐振腔。
8.如权利要求7所述的一种半导体激光器,其特征在于:两个所述谐振腔中供激光激射的有效长度为第一出光腔面和第二出光腔面之间的长度的1.8倍。
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