[发明专利]用于反射中光谱可见光的电子设备涂层

说明书

本公开涉及用于反射中部光谱可见光的电子设备涂层。电子设备可包括具有可见光反射涂层的导电结构。该涂层可以包括晶种层、过渡层、中性色基底层和形成单层干涉膜的最上层。该中性色基底层可对可见光不透明。该干涉膜可以包含硅，并且可以具有介于0和1之间的吸收系数。该干涉膜可以包含例如CrSiN或CrSiCN。可以选择该干涉膜的组分、该干涉膜的厚度和/或该基底层的组分，以使该涂层具有接近可见光谱中部的期望颜色(例如，绿色波长处)。即使涂层的厚度在其区域上变化，该颜色也可相对稳定。

本专利申请要求2020年7月17日提交的美国专利申请16/932,621、2019年8月14日提交的美国临时专利申请62/886,837以及2019年9月9日提交的美国临时专利申请62/897,595的优先权，这些专利申请据此全文以引用方式并入本文。

技术领域

本公开整体涉及用于电子设备结构的涂层，并且更具体地讲，涉及用于导电电子设备结构的可见光发射涂层。

背景技术

诸如蜂窝电话、计算机、手表和其他设备的电子设备包含导电结构，该导电结构诸如导电壳体结构。该导电结构设置有涂层，该涂层反射特定波长的光，使得导电部件呈现出期望的可见颜色。

可能很难使涂层具有相对均匀的厚度，尤其是在具有非平面形状的导电结构上。如果不小心，则涂层的厚度变化可能不期望地使涂层在其整个区域上的颜色和视觉外观失真。

发明内容

一种电子设备可包括导电结构诸如导电壳体结构。该导电结构可具有三维表面或其他非平面形状。可见光反射涂层可形成于该导电结构上。该涂层可以包括位于该导电结构上的晶种层、位于晶种层上的一个或多个过渡层、位于该过渡层上的中性色基底层、以及位于该中性色基底层上的单层干涉膜。该单层干涉膜可以是该涂层的最上层。该中性色基底层可对可见光不透明。

该单层干涉膜可以包含硅，并且可以具有介于0和1之间的吸收系数。该单层干涉膜可以包含例如CrSiN、CrSiCN、AlTiSiN(氮化铝钛硅)或TiSiN(氮化钛硅)。该中性色基底层可包含例如CrSiCN。可以选择该单层干涉膜的组分、该单层干涉膜的厚度和/或该中性色基底层的组分，以使该涂层具有接近可见光谱中部的期望颜色(例如，绿色)。由单层干涉膜的界面反射的光可以相长和相消干涉，以在接近可见光谱中部的整个波段上(例如，在绿色波长处)呈现出相对均匀的反射强度。即使该涂层的厚度在其整个区域上变化，这也可将涂层配置为呈现出接近可见光谱中部的相对均匀(稳定)颜色。

附图说明

图1是根据一些实施方案的可设置有导电结构和可见光反射涂层的类型的例示性电子设备的透视图。

图2是根据一些实施方案的具有可以设置有可见光反射涂层的导电结构的例示性电子设备的横截面侧视图。

图3是根据一些实施方案的具有对厚度变化高度敏感的着色层的例示性可见光反射涂层的横截面侧视图。

图4是根据一些实施方案的对厚度变化高度敏感的例示性可见光反射涂层的反射强度随波长变化的曲线图。

图5是根据一些实施方案的以相对均匀的反射强度反射可见中光谱光的例示性涂层的横截面侧视图。

图6是根据一些实施方案的图5所示类型的例示性涂层的横截面侧视图，该涂层具有由氮化铬硅(CrSiN)形成的单层干涉膜。

图7是根据一些实施方案的图5所示类型的例示性涂层的横截面侧视图，该涂层具有由碳氮化铬硅(CrSiCN)形成的单层干涉膜。

图8是根据一些实施方案的图5所示类型的例示性涂层的横截面侧视图，该涂层具有由氮化铝钛硅形成的单层干涉膜。

图9是根据一些实施方案的图5至图8所示类型的涂层的例示性中性色基底层中的不同元素的原子百分比的图。