[发明专利]一种硅片局部沉积非晶硅的方法

权利要求书

1.一种硅片局部沉积非晶硅的方法，其特征在于，采用正背面都覆盖有非晶硅层的透明载板作为靶材，将靶材置于待沉积非晶硅的硅片附近，靶材背面的非晶硅层朝向硅片，使用激光照射靶材正面的特定区域，位于该特定区域的正面非晶硅层先吸收激光能量并蒸发至环境中，然后与该特定区域相对应的背面非晶硅层吸收激光能量并蒸发，背面蒸发的非晶硅脱离靶材并转移至硅片表面，实现硅片局部沉积非晶硅；

其中，

所述透明载板为高纯石英板，高纯石英板中SiO₂的质量含量不小于99.99%，金属杂质的质量含量不大于15ppm；高纯石英板的厚度均匀性要求为：石英板各位置厚度差小于5um；高纯石英板的表面平滑度要求为：石英板单侧表面高度差小于0.2um；高纯石英板的厚度为0.2～2mm；

所述非晶硅层的厚度为10～2000nm；

所述靶材背面与硅片的间距为0.2～2mm；

所述激光照射所用激光的波长为535～1064nm；激光照射采用脉冲激光扫描，脉冲激光的光斑为能量均匀分布的矩形光斑，且相邻光斑之间互不重叠，相邻光斑之间的间距为1～20um。