[发明专利]制造影像感测装置的方法

说明书

一种制造影像感测装置的方法，包括在半导体层的第一表面上形成介电层，介电层包括金属化层。方法包括形成开口，以暴露一部分介电层。方法包括形成内衬开口的缓冲氧化物层。方法包括根据可图案化层，形成缓冲氧化物层中的凹槽，其中凹槽从缓冲氧化物层第二表面部分延伸。方法包括移除可图案化层。方法包括将凹槽延伸穿透缓冲氧化物层和部分的介电层，以暴露部分的金属化层。方法包括用导电材料填充凹槽，以形成配置为提供电性连接至金属化层的衬垫结构。

技术领域

本公开涉及制造影像感测装置的方法。

背景技术

本公开总体上关于影像感测装置，并特定地关于制造影像感测装置的方法。

半导体影像感测器用于感测入射的可见或不可见辐射，例如可见光、红外光等。互补式金属氧化物半导体(Complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS)影像感测器(CIS)和电荷耦合元件(charge-coupled device，CCD)感测器用于各种应用，例如数字静态相机、手机、平板、眼镜等。这些影像感测器使用像素阵列，其中像素阵列会吸收(例如感测)入射辐射并转成电子信号。背照式(back side illuminated，BSI)影像感测装置是一种影像感测装置的示例。这些背照式影像感测装置可操作以侦测来自其背后的光。

发明内容

一种制造影像感测装置的方法，包括在半导体层的第一表面上形成介电层，其中介电层包括导电结构。方法包括形成从半导体层第二表面延伸到半导体层第一表面的开口，以暴露部分介电层，其中半导体层的第二表面相对于半导体层的第一表面。方法包括形成内衬开口的缓冲氧化物层，缓冲氧化物层中部分的第一表面接触介电层的暴露部分。方法包括根据可图案化层，在缓冲氧化物层中形成一或多个凹槽，凹槽从缓冲氧化物层第二表面部分延伸，其中缓冲氧化物层的第二表面相对于缓冲氧化物层的第一表面。方法包括移除可图案化层。方法包括将凹槽延伸穿透缓冲氧化物层和部分介电层，以暴露导电结构的个别位置。方法包括用导电材料填充凹槽，以形成一或多个衬垫结构，将衬垫结构配置为提供电性连接到导电结构。

一种制造影像感测装置的方法，包括在半导体层的第一表面上形成多个感光区域。方法包括在半导体层的第一表面上形成环绕感光区域的牺牲隔离区域。方法包括在半导体层的第一表面上形成介电层，其中介电层包括导电结构。方法包括蚀刻半导体层的第二表面以形成暴露隔离区域底表面的开口，其中半导体层的第二表面相对于半导体层的第一表面。方法包括移除至少部分的隔离区域，以暴露介电层。方法包括形成内衬开口的缓冲氧化物层。方法包括形成具有图案在开口中的可图案化层。方法包括根据可图案化层的图案，在缓冲氧化物层中形成一或多个凹槽，凹槽从缓冲氧化物层第二表面部分延伸，缓冲氧化物层的第二表面相对于缓冲氧化物层的第一表面。方法包括移除可图案化层。方法包括基于凹槽，蚀刻缓冲氧化物层和部分的介电层，以暴露导电结构的个别位置。方法包括用导电材料填充凹槽，以形成一或多个衬垫结构，将衬垫结构配置为提供电性连接到导电结构。

一种制造影像感测装置的方法，包括在半导体层的第一表面上形成多个像素，像素配置为吸收来自半导体层第二表面的近红外辐射，半导体层的第二表面相对于半导体层的第一表面。方法包括在半导体层的第一表面上形成介电层，其中介电层包括导电结构。方法包括蚀刻半导体层的第二表面以形成相邻像素的开口。方法包括使用缓冲氧化物层内衬开口。方法包括形成具有图案在开口中的可图案化层。方法包括根据可图案化层的图案，在缓冲氧化物层中形成一或多个凹槽，凹槽从缓冲氧化物层第二表面部分延伸，缓冲氧化物层的第二表面相对于缓冲氧化物层的第一表面。方法包括使用氧基电浆灰化可图案化层，同时维持至少有缓冲氧化物层覆盖着导电结构。方法包括基于凹槽，蚀刻缓冲氧化物层和部分的介电层，以暴露导电结构的个别位置。方法包括用导电材料填充凹槽，以形成一或多个衬垫结构，将衬垫结构配置为提供电性连接到导电结构。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开的各方面。应注意，根据工业中的标准方法，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，可任意增加或减少各种特征的尺寸。