[发明专利]智能半导体开关

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

第一功率晶体管(2.1)，耦合在电源引脚(SUP)和第一输出引脚(OUT1)之间；

第二功率晶体管(2.2)，耦合在所述电源引脚(SUP)和第二输出引脚(OUT2)之间，所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管(2.1、2.2)均具有允许反向传导的本征体二极管；

控制电路(3)，被配置为分别基于第一输入信号(S_IN1)和第二输入信号(S_IN2)触发所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管(2.1、2.2)的导通和截止；以及

保护电路，被配置为针对所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管(2.1、2.2)检测从反向传导状态到正向传导状态的转换或者从正向传导状态到反向传导状态的转换，并且在检测到所述第二功率晶体管(2.2)从反向传导状态到正向传导状态的转换以及所述第一功率晶体管(2.1)从正向传导状态到反向传导状态的转换时生成错误信号。

2.根据权利要求1所述的集成电路，

其中所述保护电路被配置为在检测到所述第二功率晶体管(2.2)从反向传导状态到正向传导状态的转换以及后面紧随的所述第一功率晶体管(2.1)从正向传导状态到反向传导状态的转换时生成所述错误信号。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路，还包括：

电流感测电路，被配置为生成第一电流感测信号(i_S1)和第二电流感测信号(i_S2)，所述第一电流感测信号(i_S1)表示通过处于正向传导状态的所述第一功率晶体管(2.1)的负载电流，所述第二电流感测信号(i_S2)表示通过处于正向传导状态的所述第二功率晶体管(2.2)的负载电流。

4.根据权利要求3所述的集成电路，

其中当所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管(2.1、2.2)分别处于反向传导状态时，所述第一电流感测信号和所述第二电流感测信号(i_S1、i_S2)为零。

5.根据权利要求3或4所述的集成电路，

其中所述保护电路被配置为：分别基于所述第一电流感测信号和所述第二电流感测信号(i_S1、i_S2)，针对所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管(2.1、2.2)检测从所述反向传导状态到所述正向传导状态的转换以及从所述正向传导状态到所述反向传导状态的转换。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的集成电路，

其中所述保护电路被配置为：分别基于所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管(2.1、2.2)的跨负载电流路径的压降，针对所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管(2.1、2.2)检测从所述反向传导状态到所述正向传导状态的转换以及从所述正向传导状态到所述反向传导状态的转换。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的集成电路，

其中所述控制电路(3)被配置为响应于所述错误信号触发所述第二功率晶体管(2.2)或者所述第一功率晶体管与所述第二功率晶体管两者(2.1、2.2)的截止。

8.一种方法，包括：

基于输入信号(S_IN1)导通背靠背连接的第一功率晶体管(2.1)和第二功率晶体管(2.2)，所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管(2.1、2.2)均具有允许反向传导的本征体二极管；

向连接至所述第二功率晶体管(2.2)的负载提供负载电流；

当检测到所述第二功率晶体管(2.2)从反向传导状态到正向传导状态的转换以及所述第一功率晶体管(2.1)从正向传导状态到反向传导状态的转换时生成错误信号。

9.根据权利要求8所述的方法，

其中在检测到所述第二功率晶体管(2.2)从反向传导状态到正向传导状态的转换以及后面紧随的所述第一功率晶体管(2.1)从正向传导状态到反向传导状态的转换时生成所述错误信号。