[发明专利]一种基于MoOx

权利要求书

1.一种基于MoO_x空穴注入层的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）清洗并预处理ITO玻璃基底电极；

（2）在ITO玻璃基底电极上旋涂混合空穴注入层，所述混合空穴注入层的材料为MoO_x或MoO_x-PEDOT:PSS；

（3）在混合空穴注入层上旋涂空穴传输层；所述的空穴传输层材料为PVK、TFB、poly-TPD、TCTA、CBP中的一种或几种；

（4）在空穴传输层上旋涂量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点；

（5）在量子点发光层上旋涂电子传输层ZnO；

（6）在电子传输层ZnO上蒸镀顶电极，待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可，所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中MoO_x层的旋涂方法为吸取80μL的MoO_x前驱体溶液，旋涂40-45 s，成膜后退火，冷却至室温后，再进行UV-O₃处理5-10min；步骤（2）中PEDOT:PSS 层的旋涂方法为吸取100 μL的PEDOT:PSS在5000 rpm/min条件下旋涂40-45 s，成膜后在120-130℃条件下退火10-15 min。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，MoO_x前驱体溶液制备步骤为：将质量分数5-10%的钼酸铵水溶液在空气中加热至80-90℃搅拌1-2h，即得，所得到的MoO_x前驱体溶液的质量分数为5-8%。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中MoO_x层旋涂时的转速为4000-7000 rpm/min。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中MoO_x层的旋涂后的退火温度为100-170℃；退火时间为0-15min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中空穴传输层的旋涂方法为吸取60 μL空穴传输层材料溶液，在2800-3200 rpm/min条件下旋涂25-35 s，并放置在退火板上在120-150℃条件下退火25-30 min；所述空穴传输层材料溶液的浓度为8 mg/mL。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（4）中绿光量子点溶液是通过将粒径为8-10 nm的ZnCdSeS/ZnS绿光量子点溶解于正辛烷，制备成浓度为18 mg/mL的溶液。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（5）中电子传输层ZnO是在量子点发光层上旋涂ZnO溶液得到的，所述ZnO溶液为通过将粒径为3-4 nm的ZnO溶解于乙醇中，制得浓度为30 mg/mL的ZnO溶液。

9.权利要求1至8任一所述方法制备的基于MoO_x空穴注入层的QLED器件。