[发明专利]正负压自适应采样电路

权利要求书

1.一种正负压自适应采样电路，其特征在于，包括：

供电电压检测电路，所述供电电压检测电路的第一端与供电电源的正极端电连接，所述供电电压检测电路的第二端与所述供电电源的负极端电连接，所述供电电压检测电路包括正低压转高压电平转移电路；

采样开关控制电路，所述采样开关控制电路的第一端与所述供电电压检测电路的第三端电连接，所述采样开关控制电路包括正低压转负高压电平转移电路、正低压转正高压电平转移电路和受控选择电路；

采样开关电路，所述采样开关电路的第一端与输入信号端电连接，所述采样开关电路的第二端与所述采样开关控制电路的第二端电连接；

采样电容，所述采样电容的第一端与所述采样开关电路的第三端电连接，所述采样电容的第二端与接地端电连接；

所述供电电压检测电路包括：

第一电压缓冲器，所述第一电压缓冲器的输入端输入高电平；

第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极端与所述第一电压缓冲器的输出端电连接；

第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极端与所述第一PMOS管的漏极端电连接，所述第一NMOS管的栅极端与所述第一PMOS管的栅极端电连接，所述第一NMOS管的源极端与接地端电连接；

第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第二PMOS管的栅极端与所述第一NMOS管的漏极端电连接；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极端与所述第二PMOS管的漏极端电连接，所述第二NMOS管的栅极端与所述第二PMOS管的栅极端电连接，所述第二NMOS管的源极端与接地端电连接；

第一反相器，所述第一反相器的输入端与所述第二NMOS管的漏极端电连接；

第二电压缓冲器，所述第二电压缓冲器的输入端与所述第一反相器的输出端电连接；

第二反相器，所述第二反相器的输入端与所述第一反相器的输出端电连接；

第三反相器，所述第三反相器的输入端与所述第二反相器的输出端电连接；

所述正低压转高压电平转移电路包括：

第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极端与电源端电连接；

第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极端与所述第三PMOS管的漏极端电连接，所述第三NMOS管的栅极端与第三反相器的输出端电连接；

第四NMOS管，所述第四NMOS管的漏极端与所述第三NMOS管的源极端电连接，所述第四NMOS管的栅极端与所述第三NMOS管的栅极端电连接，所述第四NMOS管的源极端与接地端电连接；

第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第四PMOS管的栅极端与所述第四NMOS管的漏极端电连接；

第五NMOS管，所述第五NMOS管的漏极端与所述第四PMOS管的漏极端电连接，所述第五NMOS管的栅极端与所述第三反相器的输入端电连接，所述第五NMOS管的源极端与所述第三PMOS管的栅极端电连接；

第六NMOS管，所述第六NMOS管的漏极端与所述第五NMOS管的源极端电连接，所述第六NMOS管的栅极端与所述第五NMOS管的栅极端电连接，所述第六NMOS管的源极端与接地端电连接；

第四反相器，所述第四反相器的输入端与所述第六NMOS管的漏极端电连接。

2.根据权利要求1所述的正负压自适应采样电路，其特征在于，所述供电电压检测电路还包括：

第三电压缓冲器，所述第三电压缓冲器的输入端与所述第四反相器的输出端电连接。