[发明专利]阵列基板及其制备方法与显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法与显示面板，所述阵列基板包括栅极金属层以及源漏极金属层，所述栅极金属层以及源漏极金属层的至少一者包括导电功能层与堆叠于所述导电功能层上的结合改善层，所述结合改善层上表面的表面粗糙度大于所述导电功能层上表面的表面粗糙度。在该结合改善层上沉积绝缘层后，绝缘层会与结合改善层之间的接触面积更大而更紧密地结合，从而大大增加了金属层与绝缘层之间的附着力，以此降低金属层与绝缘层之间因应力不匹配导致的膜层剥离脱落的风险，提高阵列基板的制备良率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法与显示面板。

背景技术

随着显示技术的日益发展，消费者对显示品质的要求也越来越高，与之对应地，各大面板厂商也正在进行研究与优化，当然，随着结构上的创新改善，又随之会引发一些新的问题。

例如目前，在显示面板中，尤其是在大尺寸的显示面板中，信号线(Data line)通常采用金属铜为材料，一方面金属铜具有较低的电阻，因此可有效降低RC Delay(Resistor-Capacitance Delay，电阻-电容电路延迟)，满足大尺寸、高刷新率、高分辨率的需求，另一方面，由于铜较传统的信号线材料铝的电阻率更低，在匹配相同的目标电阻时，使用铜作为信号线材料时，所需的成膜厚度也更低，因此有利于一定程度的降低显示面板的制造成本。

然而，在显示面板中，信号线金属层之上的绝缘层通常需采用二氧化硅薄膜以保证器件电学特性稳定，但铜膜层与二氧化硅膜层的应力相反，两者之间因应力不匹配导致附着力不佳，在大面积的金属区域覆盖二氧化硅膜层后易出现膜层脱落异常，影响显示面板的制备良率。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制备方法与显示面板，所述阵列基板中的金属层通过特殊的设计，大大提升金属层与绝缘层之间的附着力，从而降低金属层与绝缘层之间发生膜层剥离脱落的风险。

为解决上述问题，第一方面，本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括栅极金属层以及源漏极金属层，所述栅极金属层以及源漏极金属层的至少一者包括导电功能层与堆叠于所述导电功能层上的结合改善层，所述结合改善层上表面的表面粗糙度大于所述导电功能层上表面的表面粗糙度。

进一步地，所述导电功能层的材料为铜，所述结合改善层的材料为氧化铜或卤化铜，且所述结合改善层的上表面呈整面的山丘状突起。

进一步地，所述卤化铜结合改善层的膜厚为200-300埃。

另一方面，本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：

S10:提供一基板，在所述基板上依次形成栅极金属层，第一绝缘层，有源层以及第二绝缘层，或所述基板上依次形成有源层，第一绝缘层，栅极金属层以及第二绝缘层；

S20:在所述第二绝缘层上形成源漏极金属层，所述源漏极金属层包括导电功能层与堆叠于所述导电功能层上的结合改善层，所述结合改善层的上表面的表面粗糙度大于所述导电功能层上表面的表面粗糙度；

S30:在所述源漏极金属层上形成第三绝缘层。

进一步地，所述步骤S20中，在所述第二绝缘层上形成源漏极金属层的步骤包括如下步骤：

S201:在所述第二绝缘层上形成整面的铜薄膜；

S202:对所述铜薄膜进行曝光以及蚀刻工艺，以形成预定图案的图案化铜薄膜；以及

S203:对所述图案化铜薄膜进行等离子体表面处理工艺，使得所述图案化铜薄膜的表面形成氧化铜薄膜或卤化铜薄膜，其中，上层形成的所述氧化铜薄膜或卤化铜薄膜为所述结合改善层，上表面呈整面的山丘状突起，下层未反应的图案化铜薄膜为所述导电功能层。