[发明专利]一种取放晶圆片的引导结构在审
| 申请号: | 202010800296.0 | 申请日: | 2020-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN114078727A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
| 发明(设计)人: | 王虎;赵阳;沈俊龙;尚书丽 | 申请(专利权)人: | 武汉锐晶激光芯片技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 刘杰 |
| 地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 取放晶圆片 引导 结构 | ||
本发明提供了一种取放晶圆片的引导结构,包括:晶圆盒,所述晶圆盒内设置若干晶圆盒卡槽,所述晶圆盒设置第一取放口;引导结构主体,连接在所述晶圆盒设置所述第一取放口的一侧,所述引导结构主体设有与所述第一取放口连通的第二取放口,所述引导结构主体内设置引导结构卡槽,所述引导结构卡槽靠近第一取放口的一侧与所述晶圆盒卡槽连通,所述引导结构卡槽沿着晶圆片取出路径槽宽逐渐扩大。本发明通过设置引导结构主体及其内的引导结构卡槽解决了因晶圆盒内晶圆盒卡槽太窄,而卡住晶圆片导致晶圆片破碎的问题。
技术领域
本发明涉及晶圆片技术领域,特别涉及一种取放晶圆片的引导结构。
背景技术
在半导体制造领域,通过光刻、刻蚀、物理/化学沉积等工艺加工处理晶圆片,在晶圆片上实现芯片结构,此过程为半导体晶圆片制程。在一整套半导体制程中,半导体晶圆片需要经过多道工艺处理。半导体晶圆片为半导体材料薄片,在各道工序的转移、上下料过程中,晶圆片容易出现破损以及受到污染。在生产中为了避免上述异常,同时保证大规模生产需求,通常将晶圆片放置多片装晶圆盒(cassette)实现转移。晶圆盒如图4和5所示,晶圆盒内设置有卡槽,晶圆片固定在卡槽内。
在半导体制程的上料过程中,需要将晶圆片从晶圆盒中取出,同时在制程后的下料过程中需要将晶圆片放置至晶圆盒的相应卡槽内。对于易碎的晶圆片 (化合物半导体晶圆片),在晶圆片的取放过程中,特别是需要人工取放的工序,晶圆片容易卡在晶圆盒的卡槽内,导致晶圆片破碎,严重影响生产良率。
发明内容
本发明提供一种取放晶圆片的引导结构,用以解决上述技术问题。
为解决上述技术问题,本发明公开了一种取放晶圆片的引导结构,包括:
晶圆盒,所述晶圆盒内设置若干晶圆盒卡槽,所述晶圆盒设置第一取放口;
引导结构主体,连接在所述晶圆盒设置所述第一取放口的一侧,所述引导结构主体设有与所述第一取放口连通的第二取放口,所述引导结构主体内设置引导结构卡槽,所述引导结构卡槽靠近第一取放口的一侧与所述晶圆盒卡槽连通,所述引导结构卡槽沿着晶圆片取出路径槽宽逐渐扩大。
优选的,所述晶圆盒为相对两侧均设置第一取放口的结构,所述晶圆盒卡槽设置在所述晶圆盒上下两端内壁;
所述引导结构主体为相对两侧均设置第二取放口的结构,所述晶圆盒的一个第一取放口与所述引导结构主体的一个第二取放口固定连接且连通,所述引导结构卡槽设置在所述引导结构主体上下两端内壁,所述引导结构卡槽靠近所述一个第二取放口的一侧与所述晶圆盒卡槽靠近所述一个第一取放口的一侧连通。
优选的,所述引导结构卡槽的开口大于等于5mm。
优选的,当所述晶圆片为3英寸晶圆片时,所述引导结构卡槽的深度大于等于80mm,所述引导结构卡槽的开口大于等于5mm。
优选的,当所述晶圆片为4英寸晶圆片时,所述引导结构卡槽的深度大于等于110mm,所述引导结构卡槽的开口大于等于8mm。
优选的,所述引导结构主体通过定位结构与所述晶圆盒连接。
优选的,
所述晶圆盒左右两侧设置所述第一取放口,所述晶圆盒卡槽设置在所述晶圆盒上下两端内壁;
所述取放晶圆片的引导结构还包括:限位装置,设置在所述晶圆盒上;
所述限位装置包括:
两个限位组件,设置在晶圆盒上下两端或设置在所述晶圆盒前后两侧;
所述限位组件包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





