[发明专利]OLED显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202010800189.8 | 申请日: | 2020-08-11 |
公开(公告)号: | CN112002823A | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 赵舒宁;周星宇 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刘泳麟 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED显示面板,包括衬底基板、阵列层、像素定义层、发光功能层、封装层,其特征在于,所述阵列层包括:
设置在所述衬底基板上的遮光层;以及
依次设置在所述遮光层上的缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极层、层间绝缘层、钝化层、源漏极层、平坦层;
其中,所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层,所述第二钝化层的阻隔水氧能力大于所述第一钝化层的阻隔水氧能力。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一钝化层设置在所述第二钝化层上。
3.如权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第二钝化层在所述衬底基板上的正投影与所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影重合。
4.如权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述有源层包括沟道区和所述沟道区两侧的源漏掺杂区,所述第二钝化层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有源层沟道区在所述衬底基板上的正投影。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第二钝化层的制备材料为氧化铝、氧化镁、氧化钛中的至少一种,所述第一钝化层的制备材料为氧化硅、氮化硅中的至少一种。
6.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第二钝化层的膜层厚度小于所述第一钝化层的膜层厚度。
7.如权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第二钝化层的膜层厚度范围为100埃至1000埃,所述第一钝化层的膜层厚度范围为1000埃至5000埃。
8.一种OLED显示面板制备方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上依次形成遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层;
在所述层间绝缘层上利用光罩沉积形成一膜层,所述膜层为第二钝化层,所述第二钝化层的制备材料为氧化铝、氧化镁、氧化钛中至少一种;
在所述第二钝化层上用同一所述光罩沉积形成一膜层,所述膜层为第一钝化层,所述第一钝化层的制备材料为氧化硅或氮化硅中至少一种;
在所述第一钝化层上继续形成平坦层、像素定义层、发光功能层、以及封装层。
9.如权利要求8所述的OLED显示面板制备方法,其特征在于,在形成所述第二钝化层的步骤中,还包括:通过另一光罩曝光显影,图案化所述第二钝化层形成一遮挡所述有源层沟道区的图案。
10.如权利要求8所述的OLED显示面板制备方法,其特征在于,在形成所述第二钝化层的步骤中,还包括:在层间绝缘层上利用所述光罩沉积一氧化铝膜层,所述氧化铝膜层为第二钝化层,所述第二钝化层的厚度为100埃至1000埃中的任一值。
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