[发明专利]显示面板和显示装置在审
申请号: | 202010799490.1 | 申请日: | 2020-08-11 |
公开(公告)号: | CN111900264A | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 王涛;张子予;秦成杰;孙韬;崔越 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板,包括主区域和环绕所述主区域设置的边缘区域;
功能膜层,设置在所述衬底基板上,并位于所述主区域和所述边缘区域;
封装薄膜,设置在所述功能膜层远离所述衬底基板的一侧;所述封装薄膜包括位于所述主区域和所述边缘区域的第一无机膜和第二无机膜,以及位于所述主区域的第一有机膜;且所述第二无机膜设置在所述第一无机膜远离所述衬底基板的一侧,所述第一有机膜设置在所述第一无机膜和所述第二无机膜之间;其中,
所述第一有机膜的材料包括具有正热膨胀系数特性的第一有机材料和掺杂在所述第一有机材料内并具有负热膨胀系数特性的第一掺杂材料。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述主区域包括显示区域和环绕所述显示区域的外围电路区域;
所述第一有机膜包括位于所述显示区域的第一部和位于所述外围电路区域的第二部;从所述显示区域至所述边缘区域的方向上,所述第二部的厚度逐渐减小;
其中,所述第二部中第一掺杂材料的掺杂比例大于或等于所述第一部中第一掺杂材料的掺杂比例。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述第一部中第一掺杂材料的掺杂比例小于或等于10%;所述第二部中第一掺杂材料的掺杂比例小于或等于30%。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述封装薄膜还包括位于所述主区域的第二有机膜,所述第二有机膜设置在所述第一无机膜和所述第一有机膜之间;
其中,所述第二有机膜的材料为具有正热膨胀系数特性的所述第一有机材料。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示面板,其特征在于,
所述显示面板还包括位于所述边缘区域的边缘有机膜;所述边缘有机膜的部分覆盖所述第二无机膜中远离所述衬底基板的表面,另一部分覆盖所述第一无机膜和所述第二无机膜中远离所述主区域的表面;
其中,所述边缘有机膜包括具有正热膨胀系数特性的第二有机材料和掺杂在所述第二有机材料内并具有负热膨胀系数特性的第二掺杂材料。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,
所述第二有机材料与所述第一有机材料为同种材料;
所述第二掺杂材料和所述第一掺杂材料为同种材料;
且所述边缘有机膜中第二掺杂材料的掺杂比例小于或等于50%。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,
所述功能膜层包括位于所述边缘区域的封装挡墙和防裂纹挡墙,所述防裂纹挡墙位于所述封装挡墙远离所述主区域的一侧;
所述第一无机膜和所述第二无机膜覆盖所述封装挡墙,且所述第一无机膜和所述第二无机膜的边缘位于所述防裂纹挡墙靠近所述主区域的一侧;
所述边缘有机膜在覆盖所述第一无机膜和所述第二无机膜的同时,还覆盖所述防裂纹挡墙。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的显示面板,其特征在于,
所述第一掺杂材料包括磷酸盐陶瓷、焦钨酸盐陶瓷、钙钛矿结构化合物、反钙钛矿结构化合物中的一种或多种;
所述第一无机膜和所述第二无机膜的材料包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、二氧化钛、氧化铝中的一种或多种;
所述第一有机材料包括丙烯酸酯、环氧树脂以及硅烷改性聚合物中的一种或多种。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的显示面板,其特征在于,
所述第一无机膜和所述第二无机膜的厚度为至所述第一有机膜的厚度为4um至15um。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至9中任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择