[发明专利]存储装置及其操作方法

说明书

存储装置及其操作方法。本技术涉及一种电子装置。根据本技术的具有改进的存储块管理性能的存储器装置包括存储块、外围电路和控制逻辑。外围电路对多个物理页当中的所选物理页执行读操作和编程操作。控制逻辑控制外围电路读取存储在所述多个物理页当中的第一物理页中的第一逻辑页数据和存储在所述多个物理页当中的第二物理页中的第二逻辑页数据，并且使用所读取的第一逻辑页数据和第二逻辑页数据来将第二逻辑页数据另外编程到第一物理页中。

技术领域

本公开涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储装置及其操作方法。

背景技术

存储装置在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据。存储装置可包括用于存储数据的存储器装置以及用于控制存储器装置中的数据存储的存储控制器。存储器装置可被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。

易失性存储器装置只有当其电源接通时才存储数据，当其电源被切断时丢失所存储的数据。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。

非易失性存储器装置即使当其电源被切断时也不丢失数据。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存等。

发明内容

本公开的实施方式提供了一种表现出改进的存储块管理性能的存储装置及其操作方法。

根据本公开的实施方式的存储器装置包括：包括多个物理页的存储块、外围电路和控制逻辑。外围电路对多个物理页当中的所选物理页执行读操作和编程操作。控制逻辑控制外围电路读取存储在所述多个物理页当中的第一物理页中的第一逻辑页数据和存储在所述多个物理页当中的第二物理页中的第二逻辑页数据，并且使用所读取的第一逻辑页数据和第二逻辑页数据来将第二逻辑页数据另外编程到第一物理页中。

根据本公开的实施方式的存储器装置包括存储块、外围电路和控制逻辑。外围电路对存储块执行读操作和编程操作。控制逻辑控制外围电路将以第一编程方法存储在存储块中的第一数据以第二编程方法编程到存储块的第一区域中。第一编程方法是在一个存储器单元中存储n比特的编程方法，其中n是等于或大于1的自然数，并且第二编程方法是在一个存储器单元中存储m比特的编程方法，其中m是大于n的自然数。

根据本公开的实施方式的存储装置包括存储器装置和存储控制器。存储器装置包括多个存储块。存储控制器控制存储器装置执行将以第一编程方法存储在多个存储块当中的目标块中的第一数据以第二编程方法编程到目标块的第一区域中的就地合并(in-placemerge)操作。第一编程方法是在一个存储器单元中存储n比特的编程方法，其中n是等于或大于1的自然数，并且第二编程方法是在一个存储器单元中存储m比特的编程方法，其中m是大于n的自然数。

根据本技术，提供了一种具有改进的存储块管理性能的存储装置及其操作方法。

将在具体实施方式中结合附图以特定实施方式进一步描述本申请的这些以及其它特征和优点。

附图说明

图1是根据本公开的实施方式的存储装置的简化框图。

图2是图1的存储器装置的结构的图。

图3是图2的存储器单元阵列的电路图。

图4是示出图1的存储控制器的配置和操作的简化框图。

图5是根据编程方法的阈值电压分布图。

图6是以页为单位执行的就地合并操作的简化示意图。

图7是根据图6的就地合并操作的映射表更新操作的简化示意图。

图8是描述以块的部分区域为单位执行的就地合并操作的简化示意图。