[发明专利]地氟烷蒸发室温度控制方法、设备、存储介质及装置

说明书

本发明公开了一种地氟烷蒸发室温度控制方法、设备、存储介质及装置，涉及温控技术领域，该方法包括：获取目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值，并计算所述目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值之间的温度差值；根据所述温度差值控制所述第一加热单元进行发热；判断所述温度差值是否大于预设阈值；在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率。本发明中一加热单元采用反馈控制，能够根据当前温度值进行实时调整，以维持地氟烷蒸发室内的温度恒定；另一加热单元在地氟烷蒸发室内的温度出现较大浮动时，进行加热，快速调整地氟烷蒸发室内的温度。

技术领域

本发明涉及温控技术领域，尤其涉及一种地氟烷蒸发室温度控制方法、设备、存储介质及装置。

背景技术

地氟烷常用于临床的维持麻醉或诱导麻醉，其具有气血分配系数高，诱导快，苏醒快，对人体损伤小的优点，已有广泛使用。吸入麻醉剂通常需要通过麻药蒸发器，而目前的蒸发器多以机械结构为主。但地氟烷的蒸气压20℃时669mmHg接近大气压，沸点为22.8℃，在正常室温下已沸腾，因此不能使用传统的蒸发室获取麻药气体。

地氟烷蒸发器工作时需要对蒸发室内的药池进行加热，使其保持在恒定的温度下，从而形成较高的、稳定的饱和蒸汽压，而现有的蒸发室难以保证地氟烷蒸发室内的温度稳定。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种地氟烷蒸发室温度控制方法、设备、存储介质及装置，旨在解决现有技术中无法稳定地控制地氟烷蒸发室温度的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种地氟烷蒸发室温度控制方法，所述地氟烷蒸发室包括第一加热单元和第二加热单元，所述地氟烷蒸发室温度控制方法包括以下步骤：

获取目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值，并计算所述目标温度值和所述地氟烷蒸发室的当前温度值之间的温度差值；

根据所述温度差值控制所述第一加热单元进行发热；

判断所述温度差值是否大于预设温度阈值；

在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率。

可选的，所述在所述温度差值大于所述预设温度阈值时，根据所述目标温度值确定目标发热功率，将所述第二加热单元的发热功率调节至所述目标发热功率的步骤之后，还包括：

获取地氟烷输出浓度的变化量；

根据所述变化量确定第一参考发热功率；

计算所述第一参考发热功率与所述目标发热功率的第一功率差值，并判断所述第一功率差值是否大于第一预设功率阈值；

在所述第一功率差值大于所述第一预设功率阈值时，则将所述第二加热单元的发热功率调节至所述第一参考发热功率。

可选的，所述在所述第一功率差值大于所述第一预设功率阈值时，则将所述第二加热单元的发热功率调节至所述第一参考发热功率之后，还包括：

在所述第二加热单元的发热功率达到所述第一参考发热功率时，记录发热时间；

判断所述发热时间是否达到预设时间；

在所述发热时间达到所述预设时间时，获取所述第一加热单元的发热功率，并将所述第一加热单元的发热功率作为第二参考发热功率；

将所述第二加热单元的发热功率从所述第一参考发热功率调节至所述第二参考发热功率。