[发明专利]改善NMOSFET热载流子效应的方法及NMOSFET器件

权利要求书

1.一种NMOSFET器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有场氧，所述场氧隔离出有源区，在所述源区内形成有P型阱；以及

在所述P型阱的形成区域表面上形成所述NMOSFET器件，NMOSFET器件包括栅极结构、源区、漏区、轻掺杂漏区、侧墙和晕环注入区，所述轻掺杂漏区自对准形成于所述栅极结构两侧的所述P型阱中，所述侧墙自对准形成于所述栅极结构的两个侧面上，源区和漏区形成于所述栅极结构两侧的所述P型阱中且所述源区和所述漏区与对应的所述侧墙的侧面自对准，其中所述晕环注入区位于所述源区侧的轻掺杂漏区与漏区侧的轻掺杂漏区之间的区域，并所述晕环注入区与漏区侧的轻掺杂漏区之间间隔有P型阱区域。

2.根据权利要求1所述的NMOSFET器件，其特征在于，所述晕环注入区的离子注入类型与衬底相同。

3.根据权利要求2所述的NMOSFET器件，其特征在于，所述晕环注入区的离子注入浓度比位于所述晕环注入区与漏区侧的轻掺杂漏区之间的P型阱区域的离子注入浓度高。

4.根据权利要求1所述的NMOSFET器件，其特征在于，所述晕环注入区的离子注入深度比轻掺杂漏区的离子注入深度深。

5.根据权利要求1所述的NMOSFET器件，其特征在于，所述晕环注入区的离子注入与晶圆之间的角度为90°。

6.根据权利要求1所述的NMOSFET器件，其特征在于，所述晕环注入区的个数为一。

7.根据权利要求1所述的NMOSFET器件，其特征在于，所述晕环注入区位于所述源区侧的轻掺杂漏区与漏区侧的轻掺杂漏区之间的中间位置。

8.一种改善NMOSFET热载流子效应的方法，其特征在于，包括：

S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成场氧，所述场氧隔离出有源区，在所述源区内形成P型阱；

S2：在所述P型阱的形成区域表面上形成NMOSFET器件，所述NMOSFET器件包括栅极结构，所述栅极结构包括依次叠加的栅介质层和栅极导电材料层，所述栅极导电材料层为多晶硅栅，所述栅极结构覆盖的P型阱区域的表面形成NMOSFET器件的沟道区；

S3：去除多晶硅栅，进行晕环注入工艺，在NMOSFET器件的沟道区内形成晕环注入区；

S4：进行自对准的轻掺杂漏注入在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成轻掺杂漏区，并所述晕环注入区与漏区侧的轻掺杂漏区之间间隔有P型阱区域；

S5：在所述栅极结构的侧面形成侧墙；

S6：以所述侧墙的侧面为自对准条件进行N+掺杂的源漏注入在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成源区和漏区。

9.根据权利要求8所述的改善NMOSFET热载流子效应的方法，其特征在于，所述晕环注入区的离子注入与晶圆之间的角度为90°。

10.根据权利要求8所述的改善NMOSFET热载流子效应的方法，其特征在于，所述晕环注入区位于所述源区侧的轻掺杂漏区与漏区侧的轻掺杂漏区之间的中间位置。