[发明专利]液晶显示面板及液晶显示装置有效
| 申请号: | 202010797914.0 | 申请日: | 2020-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN111965876B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
| 发明(设计)人: | 查宝;江淼;姚江波;陈黎暄;张鑫 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/1335;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刘泳麟 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶显示 面板 液晶 显示装置 | ||
本申请公开了一种液晶显示面板及液晶显示装置,液晶显示面板包括第一基板和第二基板;第一基板的第一衬底基板靠近第二基板的一侧设置有光传感器,光传感器的传感晶体管包括第一栅极、第一半导体以及第一源漏极;第一半导体远离第一衬底基板的一侧设置有彩膜层,彩膜层包括色阻块和挡光部分,挡光部分在第一衬底基板上的正投影覆盖第一半导体在第一衬底基板上的正投影。利用彩膜层中的挡光部分可以有效降低环境光照射至第一半导体上的光照强度,从而降低环境光对光传感器的影响,防止环境光导致第一半导体的背沟道产生漏电流,提升光传感器的信噪比。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种液晶显示面板及液晶显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,为了有效的改善光效的损失和成本的上升,将传感器集成在显示面板内成为行业内的一种趋势。
然而,采用内嵌式集成光传感器的显示面板中,由于光传感器中普遍采用氢化非晶硅(a-Si:H)作为光敏半导体材料形成半导体层,氢化非晶硅容易受到环境光的影响,特别是环境光较强的情况下,环境光照射至氢化非晶硅形成的半导体层上时会导致半导体层的背沟道产生漏电流,从而影响光传感器的正常使用。
发明内容
第一方面,本申请实施例提供一种液晶显示面板,以解决现有的采用内嵌式集成光传感器的显示面板中,氢化非晶硅形成的半导体层容易受到环境光的影响,环境光照射至氢化非晶硅形成的半导体层上时会导致半导体层的背沟道产生漏电流,从而影响光传感器的正常使用的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
一种液晶显示面板,所述液晶显示面板包括:
第一基板,所述第一基板包括第一衬底基板;
与所述第一基板相对设置的第二基板;
设置于所述第一衬底基板靠近所述第二基板的一侧的光传感器,所述光传感器包括传感晶体管,所述传感晶体管包括第一栅极、第一半导体以及与所述第一半导体连接的第一源漏极;
设置于所述第一半导体远离所述第一衬底基板的一侧的彩膜层,所述彩膜层包括多个相间隔的色阻块;
其中,所述彩膜层还包括位于相邻两所述色阻块之间的挡光部分,所述挡光部分在所述第一衬底基板上的正投影覆盖所述第一半导体在所述第一衬底基板上的正投影。
在一些实施例中,所述挡光部分包括层叠设置的第一色阻层和第二色阻层,所述第一色阻层的颜色与所述第二色阻层的颜色相异。
在一些实施例中,所述第一色阻层为红色色阻层和绿色色阻层中的一者,所述第二色阻层为红色色阻层和绿色色阻层中的另一者。
在一些实施例中,所述第一色阻层或所述第二色阻层与一相邻的所述色阻块一体成型。
在一些实施例中,与所述第一色阻层或所述第二色阻层一体成型的色阻块的厚度与所述挡光部分的厚度相同。
在一些实施例中,所述挡光部分在所述第一衬底基板上的正投影与所述第一半导体在所述第一衬底基板上的正投影重叠。
在一些实施例中,所述光传感器还包括开关晶体管,所述开关晶体管包括与所述第一栅极同层设置的第二栅极、与所述第一半导体同层设置的第二半导体以及与所述第一源漏极同层设置的第二源漏极;
其中,所述第二半导体远离所述第一衬底基板的一侧上设置有遮光层,相邻两所述色阻块之间设置有间隙区,所述遮光层包括与所述间隙区对应设置的遮光块,所述遮光块在所述第一衬底基板上的正投影覆盖所述第二半导体在所述第一衬底基板上的正投影。
在一些实施例中,所述第一基板还包括:
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