[发明专利]具有薄半导体管芯的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体管芯，包括前侧表面、与所述前侧表面相对的背侧表面、以及侧面；

背侧金属化层，沉积在所述背侧表面上并且横向向外突出超过所述侧面；以及

侧面保护层，覆盖所述侧面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体管芯的厚度等于或小于60μm或40μm或20μm或15μm。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述侧面保护层是聚合物层。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述侧面保护层完全覆盖所述侧面。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，在竖直投影中，所述背侧金属化层的轮廓包围所述侧面的轮廓。

6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述侧面保护层在所述半导体管芯的所述背侧表面上突出。

7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，

所述侧面保护层的外侧面具有激光切割表面状况；并且

所述背侧金属化层的外侧面具有激光切割表面状况。

8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，

所述侧面保护层包括第一子层和第二子层；

所述第一子层与所述侧面重叠且不与所述背侧表面重叠；并且

所述第二子层与所述背侧表面和所述侧面的边缘区重叠。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，

所述第一子层与所述侧面的下部区间隔开一定间隙；并且

所述间隙被所述第二子层填充。

10.根据权利要求8或9所述的半导体器件，其中，所述背侧金属化层的至少一部分通过所述第二子层与所述背侧表面间隔开。

11.一种半导体装置，包括：

根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件；

器件载体；以及

焊料层，布置在所述器件载体与所述背侧金属化层之间以将所述半导体器件安装到所述器件载体，其中，在竖直投影中，所述焊料层的轮廓包围所述侧面的轮廓。

12.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在晶片的前侧表面中形成凹槽；

用第一侧面保护材料填充所述凹槽；

在与所述前侧表面相对的所述晶片的背侧表面处减薄所述晶片；

在减薄的晶片的所述背侧表面上沉积背侧金属化层；以及

沿着所述凹槽穿过所述侧面保护材料并穿过所述背侧金属化层进行激光切割，以将所述晶片分离成多个半导体器件。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，执行减薄至少直到所述第一侧面保护材料被暴露并且形成所述减薄的晶片的所述背侧表面的一部分。

14.根据权利要求12或13所述的方法，还包括：

在沉积所述背侧金属化层之前，使所述减薄的晶片的所述背侧表面粗糙化。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的方法，还包括：

在所述减薄的晶片的所述背侧表面上沉积所述背侧金属化层之前，在所述减薄的晶片的所述背侧表面上涂敷第二侧面保护材料。

16.根据权利要求12至15中任一项所述的方法，其中，所述背侧金属化层在激光切割之前保持未被结构化。